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【24h】

The Density Functional Theory Study Of The Adsorption Of Arsenic And Indium Atoms On (001) Surfaces Of GaSb Semiconductors

机译：砷半导体（001）表面吸附砷和铟原子的密度泛函理论研究

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We used numerical simulation techniques based on a fully quantum mechanical first-principles density functional theory to determine the atomic-scale structure of (001) surfaces of GaSb semiconductors and In and As atom adsorption on these surfaces. We observed that both Ga- and Sb-terminating surfaces showed dimerization of surface atoms. Ga-terminating surfaces exhibited substantial buckling of surface atoms while Sb-terminating surfaces did not show appreciable buckling. The adsorption of arsenic atoms occurred preferably at the bridge sites between the dimerized Sb atoms on Sb-terminating (001) surfaces. Indium atoms, on the other hand, were observed to have somewhat equal probabilities to be adsorbed at four different sites on Ga-terminating (001) surfaces.
机译：我们使用基于完全量子机械的第一原理密度函数理论的数值模拟技术，以确定喘气半导体的（001）表面的原子尺度结构以及在这些表面上的原子吸附。我们观察到Ga-和Sb终止表面都显示出表面原子的二聚化。 GA-终端表面表现出大量屈曲的表面原子，而SB终止表面没有显示出可观的屈曲。砷原子的吸附优选在Sb终止（001）表面上二聚的SB原子之间的桥部位处发生。另一方面，铟原子被观察到在GA终止（001）表面上的四个不同位点上具有稍微相等的概率。

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