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【24h】

Indium Arsenide Quantum Wire Tri-gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

机译：铟砷量子线三栅金属氧化物半导体效应晶体管

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We present the results of a three-dimensional, self-consistent ballistic quantum simulation of an Indium arsenide (InAs) quantum wire metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) with channel lengths of 30 nm and 10 nm. We find that both devices exhibit exceptional I_(on)/I_(off) ratio, reasonable subthreshold swing and reduced threshold voltage variation. Furthermore, we find that the current in the 30 nm case is reduced at the end of the sweep due in part to tunneling through lateral states set up in the channel of the device, but in the shorter channel case we do not find this effect for the voltages swept. This effect can be easily seen in the electron density as the perturbations in the density. We also find these tunneling states present in the drain voltage sweeps as well. These tunneling states present a possible problem for use in CMOS architectures.
机译：我们介绍了铟砷（InAs）量子线金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的三维自我一致的弹道量子模拟的结果，通道长度为30nm和10nm。我们发现两个设备都表现出异常I_（ON）/ I_（OFF）比率，合理的亚阈值摆动和降低的阈值电压变化。此外，我们发现，在扫描结束时，在扫描结束时，在扫描到设备的通道中设置的横向状态，但在较短的通道案例中，我们没有找到这种效果电压扫过。在密度中可以容易地看到这种效果作为密度的扰动。我们还发现漏极电压扫描中存在的这些隧道状态。这些隧道状态在CMOS架构中提供了可能的问题。

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