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首页> 外文会议>International Conference on Advanced Nondestructive Evaluation >Growth of Highly Oriented Zinc Oxide Thin Films by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
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Growth of Highly Oriented Zinc Oxide Thin Films by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

机译：等离子体增强化学气相沉积高度取向氧化锌薄膜的生长

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In the paper, zinc oxide (ZnO) thin films are deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at different substrate temperatures. The ZnO films are characterized by X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The analysis results indicate that highly crystalline films with high orientation can be obtained at a substrate temperature of 300 deg C with 50 ml/min flow rate from Diethylzinc (DEZ). Furthermore, the investigation of optical property shows that ZnO films are transparent, and the peak transmittance in the visible region is as high as 85 percent.
机译：在本文中，在不同的基板温度下通过等离子体增强的化学气相沉积（PECVD）沉积氧化锌（ZnO）薄膜。 ZnO膜的特征在于X射线衍射（XRD）和X射线光电子谱（XPS）。分析结果表明，具有高取向的高度结晶膜可以在300℃的底物温度下获得来自二乙基锌（DEZ）的50ml / min的流速。此外，光学性质的研究表明，ZnO膜是透明的，并且可见区域中的峰透射率高达85％。

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