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【24h】

Fabrication of Silicon Nano-wire by Oxidation

机译：通过氧化制造硅纳米线

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In this paper, we report a method of fabricating silicon nano-wire based on thermal oxidation technique. In this method, we first fabricate a wider structure with traditional lithography, and then use a layer of silicon nitride as mask to oxidize silicon. At the same time, due to the lateral diffusion and oxidation of oxidant, silicon is consumed by oxidant and the width of the silicon structure will be reduced to nano range when we remove the silicon dioxide. The factors affecting the ratio of vertical and lateral oxidation, for example, the gentle slope caused by isotropic oxidation and the inhomogeneity of the sidewall of silicon nano-wire, are discussed at last. Our results should be useful in generating silicon-based nanospintronics devices with careful selection of the oxide parameters.
机译：在本文中，我们报告了一种基于热氧化技术制造硅纳米线的方法。在这种方法中，我们首先用传统的光刻制造更广泛的结构，然后使用一层氮化硅作为掩模以氧化硅。同时，由于氧化剂的横向扩散和氧化，硅被氧化剂消耗，并且当我们去除二氧化硅时，硅结构的宽度将减小到纳米范围。影响垂直和横向氧化比例的因素，例如，通过各向同性氧化和硅纳米线的侧壁的侧壁的不均匀性，展开了垂直和横向氧化比的因素。我们的结果应在通过仔细选择氧化物参数的基于硅基的纳米主管设备中有用。

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