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【24h】

Effect of Mg/Zn RF power ratio and substrate temperature on optical and structural properties of RF co-sputtered Mg_xZn_(1-X)O alloy thin films

机译：MG / ZN RF功率比和基板温度对RF共溅射Mg_XZN_（1-X）O合金薄膜的光学和结构性能的影响

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We report the growth of MgZnO thin films on Si (100) substrates using rf co-sputtering technique. It is found that structural and optical properties of MgZnO thin films highly depend on Mg/Zn rf power ratio and substrate temperature. We observe an increase in band gap of MgZnO thin films from 3.3 eV to 5.9 eV with increasing Mg/Zn rf power ratio from 0 to 2.22 at 400°C substrate temperature. Whereas, XRD studies show a structural phase transition of MgZnO films from hexagonal wurtzite via mixed phase region of both wurtzite and cubic phases to cubic phase with increase in Mg/Zn rf power ratio. As the substrate temperature increases from 400°C to 700°C, the MgZnO films in the mixed phase region shows single cubic phase.
机译：我们使用RF共溅射技术报告了Si（100）基板上的MGZNO薄膜的生长。 发现MGZNO薄膜的结构和光学性质高度取决于Mg / Zn射频功率比和衬底温度。 我们观察到3.3eV至5.9eV的MgZNO薄膜的带隙的增加，随着400°C底板温度的0至2.22的Mg / Zn RF功率比增加。 然而，XRD研究表明，来自六边形紫立茨的MgZno薄膜通过诸如Mg / Zn RF功率比的倍零和立方相的混合相位区域的MgZno薄膜的结构相变。 随着基板温度从400℃升高至700℃，混合相区域中的MgZnO膜显示出单个立方相。

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