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【24h】

Pioneering breakthroughs in implant monitor wafer cost reduction at 300 mm

机译：植入物监测晶圆成本降低300毫米的开创性突破

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The semiconductor industry has been full of news regarding the transition to 300 mm wafers. In 1998, SEMICONDUCTOR300 (SC300) was the first to demonstrate the capability to produce integrated products on 300 mm wafers. To meet the challenge of maintaining quality while simultaneously reducing cost and ramping SC300 into pilot manufacturing, the authors have investigated the use of an overlay implant technique. A single 300 mm wafer is used to collect particle, high dose, and low dose information from a Eaton GSD HE-3 ion implanter. The implants, a high dose As$PLU 80 KeV 3E14 followed by a low dose As$PLU 60 KeV 3E11 damage implant, are measured using a KLA/Tencor Rs100 sheet resistance measurement tool with a 3 mm edge exclusion. In addition to verifying the technique at 300 mm, the paper presents overlay implant data collected using externally reclaimed wafers, currently one third the cost of prime 300 mm wafers, and explores the possibility of reusing implanted monitor wafers by re-annealing the wafers and repeating the low dose damage implant. Initial data is also presented for implants performed on the backside of 300 mm wafers.
机译：半导体行业已经充满了关于过渡到300毫米晶圆的新闻。 1998年，半导体300（SC300）是第一个展示在300毫米晶圆上生产综合产品的能力。为了满足维护质量的挑战，同时将成本和斜坡升高到飞行员制造中，作者研究了使用覆盖植入技术。单个300mm晶片用于从伊顿GSD He-3离子注入机中收集颗粒，高剂量和低剂量信息。植入物，高剂量作为$ PLU 80KEV 3E14，然后是低剂量作为$ PLU 60 KEV 3E11损伤植入物，使用具有3mm边缘排除的KLA / TencoR RS100薄层电阻测量工具测量。除了在300 mm的验证技术外，本文还提供了使用外部回收晶片收集的覆盖植入数据，目前是300 mm晶圆的三分之一的成本，并探讨通过重新退出晶片和重复来重用植入监视器晶片的可能性低剂量损伤植入物。还呈现初始数据用于在300mm晶片的背面执行的植入物。

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