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首页> 外文会议>Symposium on Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology >High Current Density in μc-Si PECVD Diodes for Low Temperature Applications
【24h】

High Current Density in μc-Si PECVD Diodes for Low Temperature Applications

机译：用于低温应用的μC-Si PECVD二极管的高电流密度

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The development of microcrystalline diodes grown at low temperature by PECVD techniques is reported. Current densities near 200 A/cm~2 at + 2 V, and rectification ratios on the order of 10~5 at +/-IV and 10~7 at +/- 2V were obtained. The reverse currents were in the nano-ampere range. Correlations between deposition conditions and firm quality are presented. The effects of mesa formation and subsequent treatments designed to reduce process damage are discussed: annealing conditions yield an increase in forward current, and a decrease in reverse current. Fabrication conditions are compatible with applications requiring low temperature processes (e. g., multi-layer structures, molecular layers, or plastic substrates and coatings).
机译：报道了通过PECVD技术在低温下生长的微晶二极管的发展。 在+ 2V的电流密度接近200a / cm〜2，和10〜5at的10〜5和10〜7的整流比得到+/- 2V。 反向电流在纳米安培范围内。 提出了沉积条件与固态质量之间的相关性。 讨论了设计用于降低工艺损伤的MESA形成和随后处理的影响：退火条件产生正向电流的增加，并降低反向电流。 制造条件与需要低温过程的应用兼容（例如，多层结构，分子层或塑料基材和涂层）。

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