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首页> 外文会议>Symposium Proceedings vol.808; Symposium on Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology - 2004; 20040413-16; San Francisco,CA(US) >High Current Density in μc-Si PECVD Diodes for Low Temperature Applications
【24h】

High Current Density in μc-Si PECVD Diodes for Low Temperature Applications

机译：用于低温应用的μc-SiPECVD二极管中的高电流密度

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The development of microcrystalline diodes grown at low temperature by PECVD techniques is reported. Current densities near 200 A/cm~2 at + 2 V, and rectification ratios on the order of 10~5 at +/- 1V and 10~7 at +/- 2V were obtained. The reverse currents were in the nano-ampere range. Correlations between deposition conditions and film quality are presented. The effects of mesa formation and subsequent treatments designed to reduce process damage are discussed: annealing conditions yield an increase in forward current, and a decrease in reverse current. Fabrication conditions are compatible with applications requiring low temperature processes (e. g., multi-layer structures, molecular layers, or plastic substrates and coatings).
机译：报道了通过PECVD技术在低温下生长的微晶二极管的发展。在+ 2 V时，电流密度接近200 A / cm〜2，在+/- 1V时，整流比约为10〜5；在+/- 2V时，整流比约为10〜7。反向电流在纳安范围内。提出了沉积条件与薄膜质量之间的关系。讨论了台面形成和旨在减少工艺损伤的后续处理的影响：退火条件导致正向电流增加，而反向电流减少。制造条件与需要低温处理的应用（例如，多层结构，分子层或塑料基底和涂层）兼容。

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