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Fabrication and Characteristics of GaN/AlGaN Multilayer Structure for Terahertz Quantum-Cascade Laser

机译：太赫兹量子级联激光器GaN / AlGaN多层结构的制造与特性

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The GaN/AlGaN multilayer structure for the active regions of terahertz quantum cascade lasers (QCLs) was grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The surface morphology of the grown sample showed good surface quality with an average roughness of less than 1 nra. The x-ray diffraction pattern and transmission electron microscopy images showed that the well-controlled quantum cascade GaN/AlGaN layers were grown. The Fourier transform infrared spectrometer measurement showed a distinct A (LO) phonon frequency at 822 cm"1 that is red-shifted with respect to the single Alo.iGao.sN layer due to the good periodicity of the grown quantum cascade GaN/Al0.2Ga0.sN structure. MOCVD growth should be a viable technique for fabrication of AlGaN/GaN quantum cascade laser and phonon frequency shift should be a key indicator for the good periodicity of the grown QCL structure.
机译：通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长用于太赫兹量子级联激光器（QCLS）的有源区的GaN / AlGaN多层结构。生长样品的表面形态显示出良好的表面质量，平均粗糙度小于1 NRA。 X射线衍射图案和透射电子显微镜图像显示良好控制的量子级联GaN / AlGaN层。傅立叶变换红外光谱仪测量显示出822cm“1的不同A （LO）声子频率，其由于种植量子级联GaN / Al0的良好周期性而相对于单个AlO.igaO.SN层。 .2GA0.SN结构。MOCVD生长应该是用于制造AlGaN / GaN量子级联激光器的可行技术，并且声子频率偏移应该是良好的QCL结构的良好周期性的关键指示器。

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