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PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF STRAIGHT SIO_2 NANORODS

机译：直SiO_2纳米棒的制备与表征

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The straight SiO_2 nanorods with a diameter of about 200nm and smooth surface have been directly synthesized by high temperature vapor deposition method at 1300°C. The as-synthesized samples were characterized by means of scanning electron microscopy, energy dispersive x-ray, and transmission electron microscopy. The results show that as-synthesized silica nanorods have a uniform size, well-defined shape, and smooth surface. However, the morphologies and microstructures of silica nanorodsare affected by synthesis conditions, such as the concentration of the SiO_x and the deposition temperature. On the basis of these experimental results, a possible growth mechanism of silica nanorodsin this process is proposed.
机译：直径约为200nm和光滑表面的直线SiO_2纳米棒通过高温气相沉积法在1300℃下直接合成。通过扫描电子显微镜，能量分散X射线和透射电子显微镜表征使用的样品。结果表明，合成的硅纳米座具有均匀的尺寸，定义的形状和光滑的表面。然而，由合成条件影响的二氧化硅纳米棒的形态和微观结构，例如SiO_x的浓度和沉积温度。在这些实验结果的基础上，提出了硅纳米菌蛋白的可能生长机理。

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