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首页> 外文会议>精密工学会大会学術講演会 >ダブプリズムを用いた接触画像解析法に基づくポリシングパッド表面性状の定量評価手法の開発に関する研究―評価パラメータ値に及ぼす各種パッド諸条件の影響と研磨結果との相関関係
【24h】

ダブプリズムを用いた接触画像解析法に基づくポリシングパッド表面性状の定量評価手法の開発に関する研究―評価パラメータ値に及ぼす各種パッド諸条件の影響と研磨結果との相関関係

机译：使用Doblis Prisms基于接触图像分析的警报垫表面性质定量评价方法的发展研究 - 一种评价参数值与抛光结果相关性的各种垫条件与抛光效果的相关性

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高精度シリコンウェーハに対して，さらなる高平坦度化·高品位化が求められる中にあって，それを実現する主要加工技術であるCMP（Chemical Mechanical Polishing）への諸要求レベルは高度化の一途を辿っている．一方，鏡面ウェーハの研磨·創製に不可避的となるポリシングパッドの表面性状は研磨特性と密接な関わりを持っており，それは研磨後ウェーハの表面精度に加えて研磨レートに対し，著しい影響を及ぼすことが指摘されている．そして現在，ポリシングパッドの表面性状を定量的に評価する試みが活発化している中3)，著者らによる研究グループではダブプリズムを用いた独自の定量評価法を開発してきている．これまでに提案する定量評価値が研磨結果に及ぼす影響についても検討しており，汎用研磨装置を用いた場合における研磨後ウェーハとの相関関係を検討した結果について言及してきている．しかしながら，現在までのところ，1 種類のみのパッド（以後，Pad A と称する）の評価に留まっており，提案する評価手法の有用性及び研磨特性との関係解明には他パッドによる検討が必須であると考えられる．そこで本研究では，Pad B の表面性状を評価するとともに汎用研磨装置による研磨実験を行った．本報告では，ダブプリズムを用いた接触画像解析法の有用性と研磨テストとの相関関係を検討した結果について述べる．
机译：高精度硅晶片需要进一步增加高平坦度和高品质，和的要求水平，以CMP（化学机械抛光），其是实现它的主要加工技术，被推进我跟踪。在另一方面中，抛光垫的表面特性，这是不可避免的抛光和镜面晶片的创建，密切相关的抛光特性，它在除了表面精度上的抛光速率的显著效果抛光后的晶片指出。而现在，虽然尝试定量地评价抛光垫的表面特性被激活，根据作者的研究小组已经开发出使用doviprests自己的定量评价方法。迄今所提出的定量评价值的影响也被考虑，并且检查与在使用通用的研磨装置的情况下，后研磨晶片的相关性的结果已被提及。然而，直到现在，一种类型的垫的（在下文中称为PAD A）被保持，并且所提出的评价方法的有用性和与抛光特性的关系是用于与其它焊盘的关系的阐明必不可少的。据信有。因此，在本研究中，PAD B的表面特性进行了评价，并通过一个通用的研磨装置进行抛光实验。在这份报告中，我们描述了使用检查道威棱镜的接触式图像分析方法的有用性和抛光测试之间的相关性的结果。

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