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【24h】

Fluorinated-HfO_2 ISFET as pK sensor with highly sensitivity

机译:氟化-HFO_2 ISFET作为PK传感器,具有高灵敏度

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摘要

Ion Sensitive Field-Effect Transistor (ISFET)-based sensors with fluorinated-hafnium oxide (HfO_2) thin film fabricated by atomic layer deposition (ALD) and thermal carbon tetrafluoride (CF_4) plasma posttreatment was investigated for pK detection. The developed fluorinated-HfO_2 ISFET is highly sensitive to K~+ ions (59.5 mV/pK) in the concentration range between 0.01 and 100 mM. When compared to the same structure without plasma treatment, the sensitivity was improved by fourteenfold.
机译:基于原子层沉积(ALD)和热碳四氟化物(ALD)和热碳四氟化物(CF_4)血浆后处理的离子敏感场效应晶体管(ISFET)的传感器。 所开发的氟化-HFO_2 ISFET在0.01和100mm之间的浓度范围内高敏感于K〜+离子(59.5mV / pk)。 与不具有等离子体处理的不相同的结构相比,敏感性得到了四分之倍。

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