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The Influence of Phosphorus Dopant on the Structural and Mechanical Properties of Silicon

机译：磷掺杂剂对硅结构和力学性能的影响

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Phosphorus (P) is widely used as n-type dopant for silicon (Si) to form the emitter layer in wafer-based silicon solar cells. The main purpose of this work is to investigate the influence of P doping on the structural and mechanical properties of silicon. CASTEP program, which uses the density functional theory (DFT), with a plane-wave basis, is used to study the structural, electronic, and mechanical properties of undoped and P-doped Si (Si_(1-x)P_x for 0.0001 ≤ x ≤ 0.05). The density of states (DOS), band structure, elastic constants, bulk modulus (B), Young's modulus (E), Shear modulus (G), and Poisson's ratio (v) were all calculated. It is found that brittleness of Si increased by P doping.
机译：磷（P）广泛用作硅（Si）的n型掺杂剂，以在基于晶片的硅太阳能电池中形成发射极层。这项工作的主要目的是研究P掺杂对硅结构和力学性能的影响。使用具有平面波的密度函数理论（DFT）的Castep程序用于研究未掺杂的和p掺杂Si的结构，电子和机械性能（Si_（1-x）p_x0.0001≤ x≤0.05）。各种状态（DOS），带结构，弹性常数，散装模量（B），杨氏模量（e），剪切模量（G）和泊松比（V）都计算出来。发现Si的脆性通过P掺杂增加。

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