DOPANT MAPPING AND STRAIN ANALYSIS IN B DOPED SILICON STRUCTURES USING MICRO-RAMAN SPECTROSCOPY

机译：使用微拉曼光谱法在B掺杂硅结构中的掺杂剂映射和应变分析

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Raman microscopy, using a novel line focus configuration, has been used here to study boron concentration distributions and depth profiles in silicon for two different sources of dopant. Changes in the Raman phonon peak frequency for boron doped silicon have been calibrated against concentration by comparison with SIMS data and a relationship between Raman shift and lattice strain has been obtained.

机译：使用新型线焦点配置的拉曼显微镜已经用于研究硅浓度分布和深度型材，用于两种不同的掺杂剂来源。通过与SIMS数据的比较，已经校准了硼掺杂硅的拉曼声子峰值峰值的变化，并获得了拉曼偏移和晶格应变之间的关系。

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《Symposium on microelectromechanical structures for materials research》|1998年||共6页
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