HALO OPTIMIZATION FOR 0.13μm SOI CMOS TECHNOLOGY

机译：0.13μmSOI CMOS技术的光晕优化

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This work presents the study of HALO implantation angle and its concentration influence on deep-submicrometer partially depleted SOI nMOSFETs electric characteristics. This study was performed through the threshold voltage and subthreshold slope analysis. As the implantation angle and the doping concentration of the HALO were varied, a large threshold voltage variation was obtained. It is demonstrated that for 0.13μm SOI CMOS technology devices, the most efficient HALO implantation occurs for 50 degrees and concentration range from 1.2×10~(18)cm~(-3) to 1.8×10~(18)cm~(-3).

机译：这项工作提出了HALO注入角及其浓度对深亚微米部分耗尽SOI nMOSFET电气特性的影响的研究。该研究是通过阈值电压和亚阈值斜率分析进行的。随着HALO的注入角和掺杂浓度的变化，获得了较大的阈值电压变化。结果表明，对于0.13μmSOI CMOS技术器件，最有效的HALO注入发生在50度，浓度范围为1.2×10〜（18）cm〜（-3）至1.8×10〜（18）cm〜（- 3）。

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来源
《Microelectronics Technology and Devices-SBMicro 2008》|2008年|111-118|共8页
会议地点 Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR)
作者
Paula Ghedini Der Agopian; Julia Maria Arrabaca; Joao Antonio Martino;
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作者单位

LSI / PSI / USP - University of Sao Paulo, Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3 n° 158, 05508-900 - SP - Brazil;

Centro Universitario da FEI, Sao Bernardo do Campo - Brazil;

LSI / PSI / USP - University of Sao Paulo, Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3 n° 158, 05508-900 - SP - Brazil;

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
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