Department of Electronics, Valahia University, Targoviste 130024, Romania;
Department of Electronics, Valahia University, Targoviste 130024, Romania;
机译:无电流阻塞的InAlAs-InGaAs-InAlAs双异质结双极晶体管的温度研究
机译:发射能量对InP / InGaAs双异质结双极晶体管中集电极输运的影响
机译:具有InGaAs / GaAs应变层超晶格的基于InP的异质/结合双极晶体管
机译:InP / Ingaas Heteroj Popolar晶体管的集电器理想因子和发射极隧道能量
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:少量磷光体:隧道晶体管的理想二维材料
机译:GaInp / Gaas异质结和异质结构 - 发射极双极晶体管的电流增益的温度依赖性
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。