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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2010 >Study of TiO_xN_y MOS Capacitors
【24h】

Study of TiO_xN_y MOS Capacitors

机译：TiO_xN_y MOS电容器的研究

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摘要

The search for alternative metal oxides with dielectric constants higher than 25 is still active since the ITRS has not yet found an adequate material for MOS gate dielectric (1,2,3,4). Among these materials, TiO_2 is promising due to its high dielectric constant, in the 40 to 80 range.rnTiO_2 films present two important phases, Anatase and Rutile. The latter is the thermally stable phase and presents the higher dielectric constant, approximately 80, while Anatase is a thermally unstable phase with lower dielectric constant which transforms in the Rutile phase at temperatures over 600 oC (5).
机译：由于ITRS尚未找到用于MOS栅极电介质的适当材料（1,2,3,4），因此仍在寻找介电常数高于25的替代金属氧化物。在这些材料中，由于TiO_2介电常数在40至80之间，因此具有广阔的前景。rnTiO_2薄膜具有两个重要的相：锐钛矿相和金红石相。后者是热稳定相，具有较高的介电常数，约为80，而锐钛矿是热稳定性较低且介电常数较低的相，在600 oC以上的温度下，金红石相会发生转变（5）。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Sao Paulo(BR);Sao Paulo(BR)
  • 作者

    K.F.Albertin; D.Criado; A.Zuniga; I.Pereyra;

  • 作者单位

    LME, EPUSP, University of Sao Paulo, CEP 5424-970, CP 61548, Sao Paulo, SP,Brazil;

    Department of Material Science, FCFM, University of Chile, CP 8370451, Santiago,Chile;

    rnDepartment of Mechanical Engineering, FCFM, University of Chile, CP 8370448,Santiago, Chile;

    LME, EPUSP, University of Sao Paulo, CEP 5424-970, CP 61548, Sao Paulo, SP,Brazil;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术;
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