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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2010 >Humidity Sensor Thanks Array of Suspended Gate Field Effect Transistor
【24h】

Humidity Sensor Thanks Array of Suspended Gate Field Effect Transistor

机译：湿度传感器悬空栅场效应晶体管阵列

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摘要

Many industrial processes require now controlled ambiance to ensure a good reproducibility as a good general quality of their products. That is why it is nowadays very common to find more and more sensors which control the general state of the air in lot of places. One of the first parameter to check in a controlled ambiance just after temperature is the atmospheric humidity (RH). This paper presents results obtained thanks a Matrix of SGFET (Suspended Gate Field Effect Transistor) in humidity sensing (1). Results have been also compared to a traditional inter-digit comb capacitive device. Most humidity sensors are based on the variation of electrical properties with humidity. Their main applications are measurements of water vapour in meteorology or agriculture applications but also industrial process control.
机译：现在，许多工业过程都需要受控的氛围，以确保产品具有良好的一般质量，并具有良好的可重复性。这就是为什么如今在许多地方发现越来越多的传感器来控制空气的总体状态的原因。刚好在温度之后检查可控环境的第一个参数之一是大气湿度（RH）。本文介绍了在湿度感测中使用SGFET矩阵（悬浮栅场效应晶体管）获得的结果（1）。结果也已与传统的手指间梳状电容设备进行了比较。大多数湿度传感器基于电性能随湿度的变化。它们的主要应用是在气象或农业应用中测量水蒸气，以及工业过程控制。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Sao Paulo(BR);Sao Paulo(BR)
  • 作者

    B. da Silva Rodrigues; O. De Sagazan; A-C. Salaün; S. Crand; F. Le Bihan; et al;

  • 作者单位

    GM-IETR UMR-CNRS 6164, Universite RENNES I, 35042 Rennes Cedex, FRANCE rnLSI, University of Sao Paulo, Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3 n°158, Sao Paulo, Brazil;

    GM-IETR UMR-CNRS 6164, Universite RENNES I, 35042 Rennes Cedex, FRANCE;

    GM-IETR UMR-CNRS 6164, Universite RENNES I, 35042 Rennes Cedex, FRANCE;

    GM-IETR UMR-CNRS 6164, Universite RENNES I, 35042 Rennes Cedex, FRANCE;

    GM-IETR UMR-CNRS 6164, Universite RENNES I, 35042 Rennes Cedex, FRANCE;

    et al;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术;
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