基于铁电材料栅介质层负电容场效应晶体管特性研究

机译：原子层沉积Al_2O_3栅电介质增强型InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管的电容电压研究

机译：掺杂NO2空穴和Al2O3栅绝缘层的金刚石场效应晶体管的电容电压特性研究

机译：用于顶栅有机场效应晶体管的基于聚对二甲苯的双层柔性栅介质层

机译：具有超薄顶栅电介质的栅电容缩放和石墨烯场效应晶体管

机译：基于聚苯胺的电位离子传感器和新型浮栅场效应晶体管（FGFET）上蛋白质结合的研究

机译：缓冲层电容对铁电聚合物电容器电气特性的影响和场效应晶体管

机译：用射频磁控溅射TiO（x）和TiO（x）N（y）栅介质层研究金属氧化物半导体电容器

机译：基于脱氧核糖核酸（DNa）栅介质的生物有机半导体场效应晶体管（BioFET）

机译：在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性，同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法

机译：使用负模制造具有高-ε（ε），-根据鳍片-堆叠的电介质或铁电材料的高电容器的方法

机译：根据翅片叠层原理和负模生产工艺的具有高电子电介质或铁电材料的电容器