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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2010 >DIBL Behavior of Triple Gate FinFETs with SEG on Biaxial Strained Devices
【24h】

DIBL Behavior of Triple Gate FinFETs with SEG on Biaxial Strained Devices

机译：具有SEG的三栅极FinFET在双轴应变器件上的DIBL行为

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摘要

FinFETs offer a set of benefits that has made them a possible successor to the planar technology. FinFETs present a good scalability and they work with multiple gates that contribute to the better electrostatic control of the channel region. The top dielectric between the metal gate and the silicon fin determines whether the transistor has two or three gates, i.e., if the top dielectric is thick, the potential applied in this region is not sufficient to invert the channel at the top fin and therefore, the transistor works as a double-gate structure. In triple gate FinFETs, with the influence of the three sides, the effective gate width of the transistor is equal to two times the height of the silicon-on-oxide layer plus the width of the silicon fin, W_(eff) = 2H_(Fin)+ W_(Fin). With this architecture, schematically illustrated in Fig. 1, improvements are obtained such as a reduction of subthreshold slope and better short channel effects (SCEs) (1,2).
机译：FinFET具有一系列优势，使其有可能成为平面技术的后续产品。 FinFET具有良好的可扩展性，并且可与多个栅极配合使用，从而有助于更好地控制沟道区域。金属栅极和硅鳍之间的顶部电介质确定晶体管是具有两个还是三个栅极，即，如果顶部电介质很厚，则在该区域中施加的电势不足以反转顶部鳍上的沟道，因此，该晶体管用作双栅极结构。在三栅极FinFET中，在三侧的影响下，晶体管的有效栅极宽度等于氧化硅层高度加上硅鳍片宽度的两倍W_（eff）= 2H_（ Fin）+ W_（Fin）。通过这种架构，如图1所示，可以获得改进，例如降低了亚阈值斜率和更好的短通道效应（SCE）（1,2）。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Sao Paulo(BR);Sao Paulo(BR)
  • 作者

    S. D. dos Santos; T. Nicoletti; J. A. Martino; E. Simoen; C. Claeys;

  • 作者单位

    LSI/PSI/USP, University of S3o Paulo Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3 n° 158 - Sao Paulo - Brazil;

    LSI/PSI/USP, University of S3o Paulo Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3 n° 158 - Sao Paulo - Brazil;

    LSI/PSI/USP, University of S3o Paulo Av. Prof. Luciano Gualberto, trav. 3 n° 158 - Sao Paulo - Brazil;

    Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;

    Imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium, E.E. Dept., KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 10, B-3001 Leuven, Belgium;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术;
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