• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2011 >Quality Improvements of Titanium Oxide/Gallium Arsenide MOS Capacitors by Post-metallization Annealing and Sulfur-treatment
【24h】

Quality Improvements of Titanium Oxide/Gallium Arsenide MOS Capacitors by Post-metallization Annealing and Sulfur-treatment

机译：通过后金属化退火和硫处理提高氧化钛/砷化镓MOS电容器的质量

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The characteristics of post-metallization annealed TiO_2 with various thicknesses on (NH_4)_2S-treated GaAs were investigated. The electrical characteristics of TiO_2 films grown on (NH_4)_2S-treated GaAs were improved due to the removal of native oxide. The post-metallization annealing treatment can further passivate the grain boundary of TiO_2 film and interface of TiO_2/GaAs. With both treatments, the leakage current densities of thick TiO_2 (77nm)/GaAs are 1.4 × 10~(-7) and 2.3 × 10~(-5) A/cm~2 at ± 1.5 MV/cm, and that of thin TiO_2 (7.5 nm) are 1.7 × 10~(-6) and 4.5 × 10~(-5) A/cm~2 at ± 2 V (2.7 MV/cm). The dielectric constant and equivalent oxide thickness can reach 52 and 0.53 nm, respectively. The lowest interface state density is 3.8 × 10~(12) cm~(-2)eV~(-1) by the high-low frequency capacitance method.
机译：研究了在（NH_4）_2S处理的GaAs上不同厚度的金属化后退火TiO_2的特性。由于去除了天然氧化物，在（NH_4）_2S处理的GaAs上生长的TiO_2薄膜的电学特性得到了改善。后金属化退火处理可以进一步钝化TiO_2薄膜的晶界和TiO_2 / GaAs的界面。在这两种处理下，厚的TiO_2（77nm）/ GaAs在±1.5 MV / cm时的漏电流密度分别为1.4×10〜（-7）和2.3×10〜（-5）A / cm〜2，而薄的TiO_2（7.5 nm）在±2 V（2.7 MV / cm）时为1.7×10〜（-6）和4.5×10〜（-5）A / cm〜2。介电常数和等效氧化物厚度可以分别达到52和0.53 nm。通过高低频电容法，最低的界面态密度为3.8×10〜（12）cm〜（-2）eV〜（-1）。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Joao Pessoa(BR);Joao Pessoa(BR)
  • 作者

    M. K. Lee; C. F. Yen; S. H. Yang;

  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, 80424, Taiwan, R. O. C.;

    Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, 80424, Taiwan, R. O. C.;

    Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, 80424, Taiwan, R. O. C.;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号