Department of Physics, Arizona State University. Tempe, Arizona 85281 USA;
rnCenter for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National Laboratory. Los Alamos, New Mexico 87545 USA;
rnCenter for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National Laboratory. Los Alamos, New Mexico 87545 USA;
rnDepartment of Physics, Arizona State University. Tempe, Arizona 85281 USA;
rnDepartment of Physics, Arizona State University. Tempe, Arizona 85281 USA;
机译:使用离轴电子全息图在Si纳米线的轴向p-n结上绘制静电分布图
机译:利用离轴电子全息术对InGaAs / AIGaAs发光二极管中的p-n结进行定量掺杂分析
机译:通过偏离轴电子全全息术与结构,化学和光电子表征indaN / GaN蓝色发光二极管的MOCVD和混合GaN隧道结的静电电位映射。
机译:聚焦离子梁铣削GaAs和Si P-N连接的轴外电子全能
机译:使用脱轴电子全息术,静电电位和半导体纳米结构中捕获电荷的表征
机译:轴向连接的纳米线核-壳p-n结:用于高效太阳能电池的复合结构
机译:通过离轴电子全息术在GaAs纳米线中的P-N结映射静电电位
机译:扫描电子显微镜研究扩散掩模边缘附近的平面扩散p-N结