Oxode layers on 6H silicon carbide substrates

机译：6H碳化硅衬底上的氧化物层

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Electronic grade wafers of 6H SiC have been given a surface oxide layer by either thermal or plasma processing.TEM,EDX and PEELS habe been used to characterise the layer and its interface with the parent carbide.

机译：电子6H SiC晶圆已通过热处理或等离子处理获得了表面氧化层。已使用TEM，EDX和PEELS表征了该层及其与母体碳化物的界面。

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来源
《Microscopy of semiconducting materials 1999》|1999年|p.517-520|共4页
会议地点 Oxford(GB);Oxford(GB)
作者
R T Murray; S Taylor; G.P.Kennedy; L S Riley; S Hall;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类机械、仪表工业;
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