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Microscopy of semiconducting materials 1999
Microscopy of semiconducting materials 1999
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1.
Effect of proton irradiation on the spatial defect distribution of n~+ -p InP/Si solar cells
机译:
质子辐照对n〜+ -p InP / Si太阳能电池空间缺陷分布的影响
作者:
M J Romero
;
R J Walters
;
D Araujo
;
S R Messenger
;
G P Summers
;
R Garcia
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
2.
Effect of the temperature ramp rate during carbonization of Si (111) on the crystalline quality of SiC produced
机译:
Si(111)碳化过程中的温度上升速率对生产的SiC晶体质量的影响
作者:
F J Pacheco
;
A M Sanchez
;
S I Molina
;
D Araujo
;
R Garcia
;
A J Steckl
会议名称:
《》
|
1999年
3.
Interface-related artefacts in iodine-ion milling of ZnSe on GaAs grown by metal-organic vapour phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长ZnSe在GaAs上碘离子铣削中的界面相关伪像
作者:
A C Wright
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
4.
Limiatations to homoepitaxial silicon growth in plasma-enhanced chemical vapour deposition at low temperatures
机译:
低温等离子增强化学气相沉积中对同质外延硅生长的限制
作者:
L Houben
;
M Luysberg
;
R Carius
;
P Hapke
;
F Finger
;
H Wagner
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
5.
Investigations of p-i-n junctions with nanoscale corrugations
机译:
具有纳米级波纹的p-i-n结的研究
作者:
S Anand
;
D Soderstrom
;
S Lourdudoss
;
C F Carlstrom
;
G Landgren
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
6.
Microstructures of Y_2O_3 films grown on Si (111) by ionized cluster beam
机译:
电离簇束在Si(111)上生长的Y_2O_3薄膜的微观结构
作者:
D-H Lee
;
T-Y Seong
;
M-H Cho
;
C-N Whang
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
7.
Low temperature scanning cathodoluminescence studies of proton isolated GaAs/AlGaAs vertical cavity surface emitting lasers
机译:
质子隔离的GaAs / AlGaAs垂直腔表面发射激光器的低温扫描阴极发光研究
作者:
G M Williams
;
P Parmiter
;
R A Wilson
;
J Heaton
;
G W Smith
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
8.
Oxode layers on 6H silicon carbide substrates
机译:
6H碳化硅衬底上的氧化物层
作者:
R T Murray
;
S Taylor
;
G.P.Kennedy
;
L S Riley
;
S Hall
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
9.
Change of BSE spectrum on the edge of a surface step
机译:
表面台阶边缘的BSE光谱变化
作者:
L S Kokhanchik
;
E B Yakimov
;
S I Zaitsev
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
10.
Polycrystalline silicon-silicon nitride multilayers
机译:
多晶硅-氮化硅多层膜
作者:
D A Williams
;
S B Newcomb
;
K Nakazato
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
11.
Self-assembled InSb quantum dots in InAs adn GaSb matrices assessed by means of TEM,AFM and PL
机译:
通过TEM,AFM和PL评估InAs和GaSb矩阵中的自组装InSb量子点
作者:
P Mock
;
G R Booker
;
E Alphandery
;
R J Nicholas
;
N J Mason
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
12.
SEM EBIC characterization of SiC/Si solar cells
机译:
SiC / Si太阳能电池的SEM EBIC表征
作者:
D B Holt
;
E Napchan
;
H Reehal
;
S Toal
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
13.
Formation model for microstructures in a (Al,Ga,In)P natural superlattice
机译:
(Al,Ga,In)P天然超晶格中微观结构的形成模型
作者:
Y Kuno
;
S Takeda
;
M Hirata
;
Y Ohno
;
N Hosoi
;
K Shimoyama
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
14.
A crystalline (amorphous) silicon bubble 3-D lattice in a synthetic opal matrix
机译:
合成蛋白石基质中的结晶(非晶)硅气泡3-D晶格
作者:
V N Bogomolov
;
N A Feoktistov
;
V G Gobulev
;
J L Hutchison
;
D A Kurdyukov
;
A B Petsov
;
J Sloan
;
L M Sorokin
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
15.
Real time observations of the growth and developement of self-assembled GeSi islands on Si (001)
机译:
实时观察Si(001)上自组装GeSi岛的生长和发展
作者:
F M Ross
;
R M Tromp
;
J Tersoff
;
M C Reuter
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
16.
Scanning capacitance microscopy imaging of state -of-the-art MOSFETs
机译:
先进MOSFET的扫描电容显微镜成像
作者:
R N Kleiman
;
M L O Malley
;
F H Baumann
;
J P Garno
;
G L Timp
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
17.
Strain mapping in semiconductor heterostructures using HREM
机译:
使用HREM的半导体异质结构中的应变映射
作者:
t Plamann
;
M J Hytch
;
S Kret
;
J Y Laval
;
C Kelamarre
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
18.
Studies of low-energy ion implantation in silicon
机译:
硅中低能离子注入的研究
作者:
T-S Wang
;
A G Cullis
;
E J H Collart
;
A J Murrell
;
M A Foad
;
J A Van Den Berg
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
19.
Structural study of GaAs/GaAs twist-bonded compliant substrates
机译:
GaAs / GaAs扭曲粘合顺应性基板的结构研究
作者:
G Patriarche
;
C Meriadec
;
G Le Roux
;
I Sagnes
;
J-C Harmand
;
F Glas
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
20.
Spatially resolved low-loss EELS anaysis of optical properties of GaN and related alloys
机译:
GaN及其相关合金的光学特性的空间分辨低损耗EELS分析
作者:
G Brockt
;
H Lakner
;
E Kubalek
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
21.
Structural properties of compressive and tensile strained InGaAs/InP heterostructures
机译:
压缩和拉伸应变的InGaAs / InP异质结构的结构特性
作者:
L Lazzarini
;
G Salviati
;
M Natali
;
M Berti
;
D Cerolini
;
D De Salvador
;
AV Drigo
;
G Rossetto
;
G Torzo
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
22.
Structural analysis of epitaxial Si layers grown on porous silicon
机译:
多孔硅上生长的外延硅层的结构分析
作者:
S Jin
;
H Bender
;
L Stalmans
;
J Poortmans
;
M Caymax
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
23.
X-ray diffraction measurements of strained and relaxed SiGe epitaxial layers on Si
机译:
Si上应变和弛豫的SiGe外延层的X射线衍射测量
作者:
D J Wallis
;
A M Keir
;
D J Robins
;
J C Jones
;
G M Williams
;
A J Pidduck
;
R Carline
;
J Russell
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
24.
transmission electron microscopy studies of photochemically etched porous silicon
机译:
光化学刻蚀多孔硅的透射电子显微镜研究
作者:
A Wellner
;
R e Palmer
;
L Koker
;
K W Kolasinski
;
M Aindow
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
25.
TEM adn XRD analysis of CuInS_2 layers for solar cell applications
机译:
用于太阳能电池的CuInS2层的TEM和XRD分析
作者:
J Marcos-Ruzafa
;
A Romano-Rodriguez
;
J Alvarez-Garcia
;
A Perez-Rodriguez
;
J R Morante
;
J Klaer
;
R Scheer
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
26.
STEM investigations of GaN
机译:
GaN的STEM研究
作者:
U Bangert
;
A J Harvey
;
C Dieker
;
A Rizzi
;
D Freundt
;
H Davock
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
27.
TEM investigationof MBE grown self-assembled CdSe/ZnSe islands
机译:
MBE生长的自组装CdSe / ZnSe岛的TEM研究
作者:
H Preis
;
S Kaiser
;
S Biumel
;
S Miethaner
;
S Bauer
;
K Fuchs
;
W Gebhardt
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
28.
The stranski-krastanov growth mode of GaN on AlN
机译:
GaN在AlN上的横向波峰生长模式
作者:
J-L Rouviere
;
M Arlery
;
B Daudin
;
G Feuillet
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
29.
The structure of GaN films grown on a-plane sapphire by MOCVD
机译:
通过MOCVD在a面蓝宝石上生长的GaN膜的结构
作者:
M E Twigg
;
R L Henry
;
A E Wickenden
;
D D Koleske
;
M Fatemi
;
J C Culbertson
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
30.
The atomic structure of dislocations and planar boundaries in GaN
机译:
GaN中位错和平面边界的原子结构
作者:
P Ruterana
;
V Potin
;
P Vermaut
;
G Nouet
;
B Barbaray
;
A Botchkarev
;
H Morkoc
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
31.
TEM and AFM studies of selectively etched Si specimens to determine 2-D dopant profiles associated with n~+-P junctions
机译:
TEM和AFM研究选择性腐蚀的Si样品以确定与n〜+ -P结相关的2-D掺杂剂分布
作者:
K D Yoo
;
C D Marsh
;
G R Booker
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
32.
Size and shape engineering of vertically-stacked InAs quantum dots
机译:
垂直堆叠的InAs量子点的尺寸和形状工程
作者:
J P McCaffrey
;
M D Robertson
;
Z R Wasilewski
;
S Fafard
;
L D Madsen
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
33.
X-ray diffraction tools and methods for semiconductor analysis
机译:
X射线衍射工具和半导体分析方法
作者:
Paul F Fewster
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
34.
Investigation of composition fluctuations in In_xGa_1-xN
机译:
In_xGa_1-xN中成分波动的调查
作者:
B Neubauer
;
E Hahn
;
A Rosenauer
;
D Gerthsen
;
M Heuken
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
35.
Inversion domain nucleation in homoepitaxial GaN
机译:
同质外延GaN中的反转畴成核
作者:
P.D Brown
;
J.L.Weyher
;
C.B Boothroyd
;
D.T.Foord
;
A.R.A.Zauner
;
P.R.Hageman
;
P.K.Larsen
;
M.Bockowski
;
C.J Humphreys
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
36.
Formation and evolution of antiphase boundaries during expitaxial growth of partially ordered Ga_0.5In_0.5P
机译:
部分有序Ga_0.5In_0.5P外延生长过程中反相边界的形成和演化
作者:
E Spiecker
;
M Seibt
;
W Schroter
;
M Wenderoth
;
R Winterhoff
;
C Geng
;
F Scholz
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
37.
Imaging sub-surface dopant and free electron distributions using scanning tunnelling microscopy
机译:
使用扫描隧道显微镜对表面下的掺杂剂和自由电子分布进行成像
作者:
J Jacobs
;
B Hamilton
;
E Whittaker
;
U Bangert
;
M Missous
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
38.
In situ scanning electron microscopy of epitaxial processes
机译:
外延过程的原位扫描电子显微镜
作者:
Y Homma
;
H Yamaguchi
;
P Finnie
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
39.
Novel applications of EBIC and CL to regrown,modulationdoped structures on patterned substrates
机译:
EBIC和CL在图案化基板上再生长,调制掺杂结构的新应用
作者:
C E Norman
;
M L Leadbeater
;
T M Burke
;
D A Ritchie
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
40.
Morphoogy and defects in shallow trench isolation structures
机译:
浅沟槽隔离结构的形貌和缺陷
作者:
C Stuer
;
J Van Landuyt
;
H Bender
;
R Roolyackers
;
G Badenes
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
41.
On deformation and fracture of semiconductors
机译:
半导体的变形与断裂
作者:
P Pirouz
;
A V Samant
;
M H Hong
;
A Moulin
;
L P Kubin
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
42.
Nucleation and growth of CoSi_2 dots on Si(001)
机译:
Si(001)上CoSi_2点的成核和生长
作者:
I Goldfarb
;
G A D Briggs
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
43.
A study of defects in LEC GaAs after copper diffusion
机译:
铜扩散后LEC GaAs的缺陷研究
作者:
C Frigeri
;
J L Weyher
;
S Muller
;
P Hiesinger
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
44.
A kinetics study of the growth of Ge precipitates in SiO_2 by coupling TEM and EELS
机译:
TEM和EELS耦合研究SiO_2中Ge析出物的生长动力学
作者:
C Bonafos
;
M Lopez
;
B Garrido
;
A Perez-Rodriguez
;
J R Morante
;
J Montserrat
;
M Toufella
;
Y Kihn
;
G Ben Assayag
;
A Claverie
;
A Nejim
;
P L F Hemment
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
45.
Defect characterization of multicrystalline silicon for solar cell applications
机译:
太阳能电池应用中多晶硅的缺陷表征
作者:
M Werner
;
A Lawerenz
;
M Ghosh
;
H J Moller
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
46.
Deactivation and diffusion of boron in ion-implanted silicon:dopant mapping through secondary electron imaging
机译:
硼在离子注入的硅中的失活和扩散:通过二次电子成像进行掺杂剂映射
作者:
M Castell
;
T W Simpson
;
I V Mitchell
;
D D Perovic
;
J-M Baribeau
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
47.
Indium implantation in silicon:TEM, RBS and SIMS characterization
机译:
硅中的铟注入:TEM,RBS和SIMS表征
作者:
G Pavia
;
A Losavio
;
G Queirolo
;
F Zanderigo
;
G Ottaviani
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
48.
HRTEM and EFTEM studies of the evolution of Cu/Ta/SiO_2/Si interfaces in ULSI devices
机译:
HRTEM和EFTEM研究ULSI器件中Cu / Ta / SiO_2 / Si界面的演变
作者:
Kai-Min Yin
;
Li Chang
;
Fu-Rong Chen
;
Ji-Jung Kai
;
Cheng-Cheng Chiang Graham Chuang
;
Chun-Feng Shen
;
Shen-Chuan Lo
;
Peijun Ding
;
Barry Chin
;
Hong Zhang
;
Fusen Chen
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
49.
Growth spirals and morphology in vapour deposited ZnS
机译:
气相沉积ZnS中的生长螺旋和形貌
作者:
Y Brada
;
D B Holt
;
E Napchan
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
50.
Focused ion beam microscopy investigation of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
InGaP / GaAs异质结双极晶体管的聚焦离子束显微镜研究
作者:
A J Pidduck
;
C Reeves
;
G M Williams
;
M A Crouch
;
D G hayes
;
K Hilton
;
P Parmiter
;
J Birbeck
;
A Schertel
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
51.
EFTEM study of Ti/TiN and Co-silicide thin films at cross-sections of device structures
机译:
器件结构截面上的Ti / TiN和共硅化硅薄膜的EFTEM研究
作者:
W Blum
;
H J Engelmann
;
J Rinderknecht
;
E Zschech
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
52.
Electron microscopy study of indium oxide thin films
机译:
氧化铟薄膜的电子显微镜研究
作者:
J Ratajczak
;
A Malag
;
W Sobkowicz
;
J Katcki
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
53.
EBIC studies of heterojunction bipolar transistors
机译:
异质结双极晶体管的EBIC研究
作者:
F Amin
;
D B Holt
;
G A Hungerford
;
E Napchan
;
A Rezazadeh
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
54.
Enharced interfacial oxide break up and polysilicon regrowth using a methanol-last wafer preclsean and a fluorine implant
机译:
使用甲醇最后处理的晶圆和氟注入增强的界面氧化物分解和多晶硅再生长
作者:
C D Marsh
;
N E Moiseiwitsch
;
G R Nash
;
G R Booder
;
P Ashburn
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
55.
Energy selected elemental analysis of InGaN multiple quantum wells in GaN
机译:
GaN中InGaN多量子阱的能量选择元素分析
作者:
M W Fay
;
D J Norris
;
C J D Hetherington
;
A G Cullis
;
P J Parbrook
;
C R Whitehouse
;
M Schurman
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
56.
Elemental mapping of semiconductor devices using energy-filtering transmission electron microscopy
机译:
使用能量过滤透射电子显微镜对半导体器件进行元素映射
作者:
W Grogger
;
F Hofer
;
P Warbichler
;
O Leitner
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
57.
Dislocation bundles in GaAs substrates:assessed by X-ray and makyoh topography,X-ray diffraction,TEM, scanning infrared polariscopy,light interferometry,and nomarski microscopy
机译:
GaAs衬底中的位错束:通过X射线和makyoh形貌,X射线衍射,TEM,扫描红外偏光镜,光干涉法和nomarski显微镜进行评估
作者:
P Mock
;
M Fukuzawa
;
Z Laczik
;
G W Smith
;
G R Booker
;
M Yamada
;
M Herms
;
B K Tanner
会议名称:
《Microscopy of semiconducting materials 1999》
|
1999年
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