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【24h】

Dual-wavelength GaInNAs semiconductor quantum-well distributed feedback laser

机译:双波长GaInNAs半导体量子阱分布式反馈激光器

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摘要

Incorporation of N into GaInAs results in N-localized-states close to the conduction band minimum. Such strong alloy band edge N-localized-states can locally capture carriers, thus lasing directly occurs from them, leading to dual-wavelength emission.
机译:将N掺入GaInAs中会导致N局部化状态接近导带最小值。这种强合金带边缘的N局部态可以局部捕获载流子,因此直接从它们中发射激光,从而导致双波长发射。

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