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首页> 外文会议>Physics and technology of high-k materials 9 >Conduction Currents and Paramagnetic Defect Centers in UV-Illuminated Silicon Nitride Films
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Conduction Currents and Paramagnetic Defect Centers in UV-Illuminated Silicon Nitride Films

机译：紫外线照明的氮化硅膜中的传导电流和顺磁缺陷中心

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摘要

We investigated the effects of thermal annealing on both the conduction current and the paramagnetic K~0 centers induced by exposing LPCVD silicon nitride films to 4.9 eV ultraviolet (UV) illumination. The current component induced by UV illumination decayed by the thermal annealing at 150 and 240 ℃. UV illumination following the 240 ℃ annealing induced the current increase once again. The UV-induced current increase is a reversible phenomenon. The current densities after UV exposure and after the subsequent thermal annealing were obviously dependent on the density of the UV-induced paramagnetic defects. We proposed that the UV-induced paramagnetic defects acted as generation centers of electron-hole pairs in the nitride films and the creation of the paramagnetic defects is responsible for the UV-induced current increase.
机译：我们研究了热退火对通过将LPCVD氮化硅膜暴露于4.9 eV紫外线（UV）照射而引起的传导电流和顺磁性K〜0中心的影响。在150和240℃的热退火下，紫外线照射引起的电流分量衰减。 240℃退火后的紫外线照射导致电流再次增加。紫外线引起的电流增加是可逆的现象。紫外线暴露后以及随后的热退火之后的电流密度显然取决于紫外线引起的顺磁缺陷的密度。我们提出紫外线诱导的顺磁性缺陷充当氮化物膜中电子-空穴对的产生中心，顺磁性缺陷的产生是紫外线诱导的电流增加的原因。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Boston MA(US);Boston MA(US)
  • 作者

    K. Kobayashi; K. Ishikawa;

  • 作者单位

    Course of Electrical and Electronic System, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan;

    Course of Electrical and Electronic System, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术;
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