掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
Physics and technology of high-k materials 9
Physics and technology of high-k materials 9
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
通信管理与技术
电力电子
无线电通信技术
印制电路信息
军事通信技术
火控雷达技术
中国集成电路
卫星电视与宽带多媒体
电信技术研究
电子世界
更多>>
相关外文期刊
Telematics and Informatics
NET
IEEE transactions on circuits and systems . I , Regular papers
ECN
Public Network Europe
Digital content producer
Asia-Pacific Satellite
Antennas and Wireless Propagation Letters, IEEE
IETE Technical Review
Journal of Electronic Science and Technology of China
更多>>
相关中文会议
2008年第十届全国消费电子技术年会暨数字电视研讨会
2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
第十一届全国电波传播学术讨论年会
第十届京、津、沪、渝有线电视技术研讨会暨第十届全国城市有线电视技术研讨会
2001(第六届)四川电视节国际广播电视技术研讨会
中国全球定位系统技术应用协会第四届年会
四川省通信学会2005年学术年会
第十七届中国国际广播电视信息网络展览会CCBN2009
2010城市通卡发展年会暨第九届全国城市公用事业IC卡应用和技术发展研讨会
全国第一届塑料光纤研究、生产和应用会议
更多>>
相关外文会议
Conference on Optoelectronic and Electronic Sensors Ⅳ Jun 13-16, 2000, Gliwice, Poland
Conference on Photodetector Materials and Devices Ⅶ, Jan 21-23, 2002, San Jose, USA
Technologies for optical countermeasures XV
21st International Symposium on Space Terahertz Technology 2010
IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute
Smart Photonic and Optoelectronic Integrated Circuits XVIII
Conference on Modeling, Simulation, and Calibration of Space-Based Systems; 20040415; Orlando,FL; US
Conference on Microwave and Terahertz Photonics; 20040429-20040430; Strasbourg; FR
Radio Propagation and Technologies for 5G
Twelfth European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC '86)
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Near Room-Temperature Liquid-Phase Deposition of Barium-doped TiO_2 on n-GaN and Its Application to AlGaN/GaN MOSHEMTs
机译:
n-GaN上钡掺杂TiO_2的近室温液相沉积及其在AlGaN / GaN MOSHEMT中的应用
作者:
Chih-Chun Hu
;
Mon-Sen Lin
;
Tsu-Yi Wu
;
Feri Adriyanto
;
Po-Wen Sze
;
Chang-Luen Wu
;
Yeong-Her Wang
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
2.
Conduction Currents and Paramagnetic Defect Centers in UV-Illuminated Silicon Nitride Films
机译:
紫外线照明的氮化硅膜中的传导电流和顺磁缺陷中心
作者:
K. Kobayashi
;
K. Ishikawa
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
3.
Impact of Constant Voltage Stress on High-K Gate Dielectric for RF IC Performance
机译:
恒定电压应力对高K栅极电介质对RF IC性能的影响
作者:
P. C. Paliwoda
;
D. Misra
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
4.
A Drain Current - Drain Voltage Relation for MOSFETs with High-k Gate Stacks
机译:
具有高k栅极堆叠的MOSFET的漏极电流-漏极电压关系
作者:
Samares Kar
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
5.
Electron Irradiation Effects on Atomic Layer Deposited High-k Gate Dielectrics
机译:
电子辐照对原子层沉积的高k栅极电介质的影响
作者:
H. Garcia
;
H. Castan
;
S. Duenas
;
L. Bailon
;
F. Campabadal
;
J. M. Rafi
;
M. Zabala
;
O. Beldarrain
;
H. Ohyama
;
K. Takakura
;
I. Tsunoda
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
6.
Tunneling Emitter Bipolar Transistor as a Characterization Tool for Dielectrics and Their Interfaces
机译:
隧穿发射极双极晶体管作为介电体及其接口的表征工具
作者:
E. Yalon
;
A. Gavrilov
;
S. Cohen
;
D. Mistele
;
V. Mikhelashvili
;
B. Meyler
;
J. Salzman
;
D. Ritter
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
7.
Properties of Oxide Heterostructures
机译:
氧化物异质结构的性质
作者:
Alexander A. Demkov
;
A.B. Posadas
;
H. Seo
;
J.K. Lee
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
8.
In-situ Deposited HfO_2 with Amorphous-Si Passivation as a Potential Gate Stack for High Mobility (In)GaSb- Based P-MOSFETs
机译:
具有非晶硅钝化的原位沉积HfO_2作为高迁移率(In)GaSb基P-MOSFET的潜在栅极叠层
作者:
P. Nagaiah
;
V. Tokranov
;
M. Yakimov
;
S. Madisetti
;
A. Greene
;
S. Novak
;
R. Moore
;
H. Bakhru
;
S. Oktyabrsky
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
9.
Deposition Mechanism and Electrical Property of CeO_2Thin Films by MOCVD with H_2O Introduction
机译:
H_2O MOCVD沉积CeO_2薄膜的机理和电学性能。
作者:
N. Tada
;
T. Izu
;
T. Kitaru
;
H. Shimada
;
S. Suzuki
;
K. Ishibashi
;
Y. Yamamoto
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
10.
Study of the Structural and Thermal Properties of Single Crystalline Epitaxial Rare-Earth-Metal Oxide Layers Grown on Si(111)
机译:
Si(111)上生长的单晶外延稀土金属氧化物层的结构和热性能的研究
作者:
R. Dargis
;
D. Williams
;
R. Smith
;
E. Arkun
;
S. Semans
;
G. Vosters
;
M. Lebby
;
A. Clark
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
11.
Epitaxial HfO_2 Thin Film on Si Substrates: A Strategy for Sub-1 nm EOT Technology
机译:
Si衬底上的外延HfO_2薄膜:亚1 nm EOT技术的策略
作者:
Shinji Migita
;
Hiroyuki Ota
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
12.
Size-Dependent Trapping Effect in Nano-Dot Non-Volatile Memory
机译:
纳米点非易失性存储器中尺寸依赖的陷阱效应
作者:
C. Y. Tsai
;
C. H. Cheng
;
T. Y. Chang
;
K. Y. Chou
;
Albert Chin
;
F. S. Yeh
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
13.
Growth of InAs/InAIAs Core-Shell Nanowires on Si and Transistor Application
机译:
InAs和InAIAs核壳纳米线在Si和晶体管上的生长
作者:
Katsuhiro Tomioka
;
Tomotaka Tanaka
;
Takashi Fukui
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
14.
Defect and Impurities in Ge-based Electronic Devices
机译:
锗基电子器件中的缺陷和杂质
作者:
L. Tsetseris
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
15.
Effects of Iridium Oxide Thickness and Post Annealing Temperature on the Size and Density of Core-shell IrOx-based Nanocrystals of a Nonvolatile Memory Device
机译:
氧化铱厚度和退火后温度对非易失性存储器件核壳IrOx基纳米晶体的尺寸和密度的影响
作者:
W. C.Li
;
J.R. Yang
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
16.
Theoretical Study of Ge Dangling Bonds in GeO_2 and Correlation with ESR Results at Ge/GeO_2 interfaces
机译:
Ge / GeO_2界面上GeO_2中Ge悬挂键的理论研究及其与ESR结果的相关性
作者:
M. Houssa
;
G. Pourtois
;
E. Scalise
;
V.V. Afanasev
;
A. Stesmans
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
17.
MOS Interface Control Technologies for Ⅲ-Ⅴ/Ge Channel MOSFETs
机译:
Ⅲ-Ⅴ/ Ge沟道MOSFET的MOS接口控制技术
作者:
S. Takagi
;
R. Zhang
;
T. Hoshii
;
N. Taoka
;
M. Takenaka
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
18.
Interaction of Aluminum Oxide with Germanium during Thermal Annealing in Ar, N_2/H_2,O_2, or H_2O
机译:
Ar,N_2 / H_2,O_2或H_2O热退火过程中氧化铝与锗的相互作用
作者:
C. Radtke
;
N.M. Bom
;
G.V. Soares
;
C. Krug
;
I.J.R. Baumvol
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
19.
Effect of Top Electrode Material on Resistive Switching Characteristics in MnO_2 Nonvolatile Memory Devices
机译:
顶部电极材料对MnO_2非易失性存储器件中电阻开关特性的影响
作者:
Yu-Ting Tsai
;
Ting-Chang Chang
;
Chao-Cheng Lin
;
Lan-Shin Chiang
;
Shih-Cheng Chen
;
Simon M. Sze
;
Tseung-Yuen Tseng
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
20.
Resistive Switching Characteristics of Core-Shell Nanoparticles of Metal-Oxide on Flexible Substrate
机译:
柔性基板上金属氧化物核壳纳米粒子的电阻转换特性
作者:
J.-W. Yoo
;
Q. Hu
;
Y.-J. Baek
;
C. J. Kang
;
H. H. Lee
;
T.-S. Yoon
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
21.
High Performance Cu-doped SiO_2 ReRAM by a Novel Chemical Soak Method
机译:
新型化学浸泡法制备高性能Cu掺杂SiO_2ReRAM
作者:
Fun-Tat Chin
;
Wen-Luh Yang
;
Tien-Sheng Chao
;
Yuan-Ming Chang
;
Li-Min Lin
;
Sheng-Hsien Liu
;
Chia-Hsiung Lin
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
22.
High Speed Switching Characteristics of Pt/Ta_2O_5/Cu Memristive Switch
机译:
Pt / Ta_2O_5 / Cu忆阻开关的高速开关特性
作者:
P. Shrestha
;
A. Ochia
;
K.P. Cheung
;
J.P. Campbell
;
H. Baumgart
;
G. Harris
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
23.
Impact of ALD Gate Dielectrics (SiO_2, HfO_2, and SiO_2/HAH) on Device Electrical Characteristics and Reliability of AlGaN/GaN MOSHFET Devices
机译:
ALD栅极电介质(SiO_2,HfO_2和SiO_2 / HAH)对AlGaN / GaN MOSHFET器件的电学特性和可靠性的影响
作者:
Bongmook Lee
;
Casey Kirkpatrick
;
Young-Hwan Choi
;
Xiangyu Yang
;
Yalin Wang
;
Xingchen Yang
;
Alex Q. Huang
;
Veena Misra
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
24.
Characteristics of Liquid-phase-deposited SrTiO_3 Films on GaN and AlGaN/GaN Wafer
机译:
GaN和AlGaN / GaN晶片上液相沉积SrTiO_3膜的特性
作者:
Tsu-Yi Wu
;
Po-Wen Sze
;
Chih-Chun Hu
;
Tong-Jyun Huang
;
Feri Adriyanto
;
Chang-Luen Wu
;
Yeong-Her Wang
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
25.
Electrical Characteristics of GaN and Si Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Capacitors
机译:
GaN和Si基金属氧化物半导体(MOS)电容器的电气特性
作者:
Tashfin Hossain
;
Darning Wei
;
J.H. Edgar
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
26.
Dielectric Breakdown In Ultra-thin Hf Based Gate Stacks: A Resistive Switching Phenomenon.
机译:
超薄H型栅堆叠中的介电击穿:电阻切换现象。
作者:
R. Rodriguez
;
J. Martin-Martinez
;
A. Crespo-Yepes
;
M. Porti
;
M. Nafria
;
X. Aymerich
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
27.
Electrical Characteristics and Temperature Response of Al_2O_3 Gate Dielectrics with and without Nitric Acid Compensation
机译:
有和没有硝酸补偿的Al_2O_3栅介质的电特性和温度响应
作者:
Chien-Chih Lin
;
Jenn-Gwo Hwu
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
28.
Voltage Ramp Stress Based Stress-And-Sense Test Method For Reliability Characterization Of Hf-Base High-k/Metal Gate Stacks For CMOS Technologies
机译:
基于电压斜坡应力的应力与压力测试方法,用于表征CMOS技术的基于Hf的高k /金属栅叠层
作者:
E. Cartier
;
A. Kerber
;
S. Krishnan
;
B. Linder
;
T. Ando
;
M. M. Frank
;
K. Choi
;
V. Narayanan
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
29.
Comparison of the Optical Properties of Tantalum Pentoxide, Ta_2O_5, Anodically Grown from E-beam Deposited Tantalum, Ta, with Ta_2O_5 E-beam Deposited from a Ta_2O_5 source
机译:
从电子束沉积钽中阳极生长的五氧化二钽Ta_2O_5的光学性质与从Ta_2O_5源沉积的Ta_2O_5电子束的光学性质比较
作者:
A. Kulpa
;
N. A. F. Jaeger
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
30.
EOT Scaling and Flatband Voltage Shift with Al Addition into TiN
机译:
在Al中添加TiN的EOT缩放和平带电压漂移
作者:
G. Nakamura
;
T. Hasegawa
;
S. Consiglio
;
F. Amano
;
V. Luong
;
Y. Trickett
;
C. S. Wajda
;
R. D. Clark
;
G. J. Leusink
;
K. Maekawa
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
31.
Evaluation of Al_2O_3 Films for MANOS Memory Device with Oxygen Infusion by Gas Cluster Ion Beam
机译:
气体团簇离子束对MANOS存储器件氧注入Al_2O_3薄膜的评价
作者:
K. Nagata
;
H. Hashiguchi
;
T. Yamaguchi
;
A. Ogura
;
H. Oji
;
J. Son
;
I. Hirosawa
;
Y. Tanaka
;
Y. Hirota
;
J. Gumpher
;
K. Yamashita
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
32.
Characterization of the Solid State Properties of Anodic Oxides on Ta-Nb Alloys as a Function of the Anodizing Conditions
机译:
Ta-Nb合金上阳极氧化物的固态特性与阳极氧化条件的关系
作者:
F. Di Franco
;
G. Zampardi
;
M. Santamaria
;
F. Di Quarto
;
H. Habazaki
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
33.
Effect of Strain and Dimensionality on the Properties of Manganites
机译:
应变和尺寸对锰矿性能的影响
作者:
C. Adamo
;
R. Misra
;
S. A. Denev
;
A. SenGupta
;
J. A. Mundy
;
J. H. Lee
;
D. A. Muller
;
V. Gopalan
;
P. Schiffer
;
D. G. Schlom
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
34.
Si_3N_4 as a Useful Dielectric for InGaAs MIS Stacks
机译:
Si_3N_4作为InGaAs MIS堆栈的有用电介质
作者:
I. Krylov
;
A.Gavrilov
;
S.Cohen
;
D.Ritter
;
M. Eizenberg
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
35.
Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La_2O_3/In_(0.53)Ga_(0.47)As and on Inn.53Gan.47As Surface
机译:
各种表面处理对La_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)As和Inn.53Gan.47As表面化学键合态的影响
作者:
K. Yamashita
;
A. Komatsu
;
M. Watanabe
;
Y. Numajiri
;
D. Zade
;
K. Kakushima
;
H. Iwai
;
H.Nohira
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
36.
Molecular Beam Epitaxial Growth of 6.1 Semiconductors Heterostructures for Advanced p-type Quantum Well Devices
机译:
先进p型量子阱器件的6.1半导体异质结构的分子束外延生长
作者:
C. Merckling
;
A. Alian
;
X. Sun
;
A. Firrinceli
;
J. Dekoster
;
M. Caymax
;
M. Heyns
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
37.
In_(0.7)Ga_(0.3)As Tunneling Field-Effect-Transistors with LaAlO_3 and ZrO_2 High-k Dielectrics
机译:
LaAlO_3和ZrO_2高介电常数In_(0.7)Ga_(0.3)As隧穿场效应晶体管
作者:
F. Xue
;
H. Zhao
;
Y. Chen
;
Y. Wang
;
F. Zhou
;
Jack C. Lee
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
38.
SF_6 Plasma Treated High k Dielectrics Engineering on InP Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect-Transistors
机译:
InP金属氧化物半导体场效应晶体管上的SF_6等离子处理的高k介电工程
作者:
Yanzhen Wang
;
Han Zhao
;
Yen-Ting Chen
;
Fei Xue
;
Fei Zhou
;
Jack C. Lee
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
39.
Active Trap Determination at the Interface of Ge and Ino.s3Gao.47As Substrates with Dielectric Layers
机译:
具有介电层的Ge和Ino.s3Gao.47As界面的有源陷阱测定
作者:
A. Molle
;
S. Baldovino
;
L. Lamagna
;
S. Spiga
;
A. Lamperti
;
M. Fanciulli
;
D. Tsoutsou
;
E. Golias
;
A. Dimoulas
;
G. Brammertz
;
C. Merckling
;
M. Caymax
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
40.
Structural, Optical and Electrical Properties of Thin Films of Lanthanum Aluminum Oxide Synthesized by Spray Pyrolysis
机译:
喷雾热解法合成氧化铝氧化铝薄膜的结构,光电性能
作者:
A.N Meza-Rocha
;
E. Zaleta-Alejandre
;
R. Balderas
;
Z. Rivera
;
M.L Perez-Arrieta
;
C. Falcony
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
41.
Evaluation of Properties of SiO_2 Films Fabricated by Plasma Oxidation
机译:
等离子氧化制备SiO_2薄膜的性能评价
作者:
T. Yamaguchi
;
K. Nagata
;
A. Ogura
;
T. Koganezawa
;
I. Hirosawa
;
Y.Kabe
;
Y. Sato
;
S. Ishizuka
;
Y. Hirota
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
42.
Effect of Plasma Treatment on Stress Reduction Induced by Shallow Trench Isolation Filled with Spin-on-glass Dielectric
机译:
等离子体处理对填充自旋玻璃介电层的浅沟槽隔离引起的应力降低的影响
作者:
H. Hashiguchi
;
K. Nagata
;
T. Sameshima
;
Y. Mizukami
;
A. Ogura
;
T. Kuroda
;
Y.Sato
;
S. Ishizuka
;
Y. Hirota
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
43.
Aluminium Oxide Atomic Layer Deposition on Semiconductor Substrates
机译:
半导体基板上的氧化铝原子层沉积
作者:
A. Delabie
;
S. Sioncke
;
J. Rip
;
S. Van Elshocht
;
G. Pourtois
;
M. Mueller
;
B.Beckhoff
;
K. Pierloot
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
44.
The NH_3 nitridation effects on a Al_2O_3 passivation by atomic layer deposition (ALD) in the HfO_2/GaAs systems
机译:
HfO_2 / GaAs体系中的原子层沉积(ALD)NH_3氮化对Al_2O_3钝化的影响
作者:
Young Dae Cho
;
Dong Chan Suh
;
Dae-Hong Ko
;
Yongshik Lee
;
Mann-Ho Cho
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
45.
Enhanced Electrical Properties of Carbon Doped Epitaxial Gd_2O_3 Thin Films on Si Substrates
机译:
硅衬底上掺碳外延Gd_2O_3薄膜的增强电性能
作者:
Apurba Laha
;
A. Bin
;
P. R. P. Babu
;
A. Fissel
;
H. J. Osten
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
46.
Light Effects on Charge Trapping and Detrapping of nc-ZnO Embedded ZrHfO High-κ MOS Nonvolatile Memories
机译:
光对nc-ZnO嵌入式ZrHfO高κMOS非易失性存储器的电荷陷阱和去陷阱的影响
作者:
Bmgqing Luo
;
Chen-Han Lin
;
Yue Kuo
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
47.
Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs
机译:
SiC功率MOSFET的栅极堆叠技术
作者:
H. Watanabe
;
T. Hosoi
;
T. Kirino
;
Y. Uenishi
;
A. Chanthaphan
;
D. Ikeguchi
;
A. Yoshigoe
;
Y. Teraoka
;
S. Mitani
;
Y. Nakano
;
T. Nakamura
;
T. Shimura
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
48.
Atomic-scale Mechanisms of Growth and Doping of Graphene Nano-Ribbons
机译:
石墨烯纳米带的生长和掺杂的原子尺度机理
作者:
L. Tsetseris
;
S. T. Pantelides
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
49.
Theoretical and Experimental Demonstration of Electronic State of GeO_2
机译:
GeO_2电子态的理论和实验演示
作者:
H. -C. Chang
;
S. -C. Lu
;
W. -C. Chang
;
T. -P. Chou
;
H. -S. Lan
;
C. -M. Lin
;
C. W. Liu
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
50.
Fabrication of High-κ/Ge Stacks with High Quality GeO_2 Interlayer
机译:
具有高质量GeO_2中间层的高κ/ Ge叠层的制备
作者:
Y. Suzuki
;
Y. Oniki
;
Y. Iwazaki
;
T. Ueno
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
51.
Synchrotron Radiation Nano-Spectroscopy of Dielectrics for LSI and ReRAM
机译:
用于LSI和ReRAM的电介质的同步辐射纳米光谱
作者:
Masaharu Oshima
;
Satoshi Toyoda
;
Koji Horiba
;
Ryutaro Yasuhara
;
Hiroshi Kumigashira
会议名称:
《Physics and technology of high-k materials 9》
|
2011年
意见反馈
回到顶部
回到首页