首页> 外文会议>2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >3DAP およびLACBED 法によるGaN 自立基板上pn ダイオードのリークの起源調査
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3DAP およびLACBED 法によるGaN 自立基板上pn ダイオードのリークの起源調査

机译:利用3DAP和LACBED方法研究GaN自支撑衬底上pn二极管泄漏的成因

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摘要

高耐圧かつ高速動作可能な次世代パワー半導体材料として注目されているGaN は,自立基板でrn104~107 cm-2 程度の転位が存在し,ホモエピタキシャル層へ伝搬した転位が素子特性に影響を与えるこrnとが知られている1.我々はpn ダイオード(PND)におけるリーク起源となる転位種の解明に着手し,rnTEM の消滅則(g・b = 0)を用いて特定の混合転位がリークに寄与することを報告した2.今回,転位rnのバーガースベクトルを定量的に解析できるLACBED 法を適用し,リークに関係する転位種の同定をrn試みた.また,同転位と不純物の関係を3 次元アトムプローブ(3DAP)により評価したのでこれを報rn告する.
机译:GaN作为能够进行高电压操作和高速操作的下一代功率半导体材料而受到关注,它在独立的衬底上具有大约rn104至107 cm-2的位错,并且传播到同质外延层的位错会影响器件特性。这是已知的1。我们开始阐明位错种类,这些位错种类是pn二极管(PNDs)泄漏的根源,并使用rnTEM(g·b = 0)2的law灭定律报告了特定的混合位错有助于泄漏。这次,LACBED方法可以定量分析位错rn的Burgers向量,被用于尝试确定与渗漏有关的位错种类。通过三维原子探针(3DAP)评估位错与杂质之间的关系。

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