ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析

机译：用拉曼光谱法分析GaN单晶中的位错位的应变场。

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GaN単結晶中の転位はリーク電流や高抵抗の要因となるため、転位の評価が重要である。転位の評価にはX線トポグラフィ[1]、エッチング[2]等が用いられる。本研究では、それらに加えてラマン分光法を活用した歪み場解析による転位評価の可能性に注目した。ラマンスぺクトルにおけるピークはひずみによりシフトする[3'4]ため、ピークシフトをマッピングし、転位のひずみ場を観察できれば、転位のバーガースベクトルを同定できると考えられる。本研究では、ピークシフ卜のマッピングとX線トポグラフィ、エッチング、シミュレーションを比較することにより、貫通転位の刃状成分の分類を行った。

机译：GaN单晶中的位错会引起漏电流和高电阻，因此评估位错非常重要。 X射线形貌[1]，蚀刻[2]等用于评估位错。在这项研究中，我们集中在通过拉曼光谱通过应变场分析进行位错评估的可能性。由于拉曼光谱的峰由于应变[3'4]而移动，因此认为可以通过绘制峰位移并观察位错的应变场来识别位错的Burgers向量。在这项研究中，通过比较峰位移映射与X射线形貌，蚀刻和模拟对螺纹位错的边缘成分进行了分类。

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来源
《2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集》|2018年|13.188|共1页
会议地点
作者
小久保信彦; 角岡洋介; 藤榮文博; 大原淳士; 恩田正一; 山田永; 清水三聡; 原田俊太; 田川美穗; 宇治原徹;
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作者单位

名大,産総研GaN-OIL kokubo@unno.material.nagoya-u.ac.jp;

名大,産総研GaN-0IL;

名大;

名大;

名大;

産総研GaN-OIL;

産総研GaN-OIL;

名大;

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名大,産総研GaN-OIL;

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