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首页> 外文会议>Progress in High-Temperature Superconducting Transistors and Other Devices II >High-Tc field-effect transistor-like structure made from YBCO ultrathin films
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High-Tc field-effect transistor-like structure made from YBCO ultrathin films

机译：由YBCO超薄膜制成的高Tc型场效应晶体管结构

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Abstract: A high-T$-c$/ field-effect transistor-like structure (SuFET) was made which consisted of an ultrathin YBa$-2$/Cu$-3$/O$-7$MIN@x$/ (YBCO) film, a dielectric SrTiO$-3$/ layer, and a gold gate electrode. The use of ultrathin films of a few unit cells thickness and an epitaxially grown dielectric layer allowed a relative change in the areal carrier density of YBCO in excess of 20%. A comparable amount of modulation was obtained in normal state resistivity and T$-c$/. The J$-c$/ of the channel layer was changed by approximately 90% when a gate voltage was applied, showing the promise to build a field effect device using high-T$- c$/ superconductors.!14
机译：摘要：制作了一种高T $ -c $ /场效应晶体管状结构（SuFET），该结构由超薄的YBa $ -2 $ / Cu $ -3 $ / O $ -7 $ MIN @ x $ / （YBCO）膜，SrTiO $ -3 $ /电介质层和金栅电极。使用具有几个单位晶胞厚度的超薄膜和外延生长的介电层允许YBCO的面载流子密度的相对变化超过20％。在正常状态的电阻率和T $ -c $ /下获得了相当数量的调制。施加栅极电压后，沟道层的J $ -c $ /大约会发生90％的变化，这显示了使用高T $ -c $ /超导体构建场效应器件的希望。14

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