A novel dual-direction IC ESD protection device

机译：新型双向IC ESD保护器件

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We report the design of a novel dual-direction on-chip ICnelectrostatic discharge (ESD) protection device. The design wasnpredicted by simulation, matched by measurements and features a highnESD-Si ratio of ~80 V/μm, deep snapback, low R_on of 0.64nΩ, low leakage (~pA), adjustable triggering voltage, and goodnscalability

机译：我们报告了一种新颖的双向片上ICn静电放电（ESD）保护器件的设计。该设计不是通过仿真预测的，而是通过测量进行匹配的，其特点是nESD-Si比高达〜80 V /μm，深度回跳，低R _{on 为0.64nΩ，低泄漏（〜pA），可调触发电压和良好的可扩展性}

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来源
《Requirements Engineering (RE 2007)》|2007年|p.151-155|共5页
会议地点
作者
Wang A.Z.; Tsay C.H.; Shan Q.W.;
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作者单位

Dept. of Electr. Comput. Eng., Illinois Inst. of Technol., Chicago, IL;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类自动化技术、计算机技术;
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