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1.
Excellent quality ultra-thin oxides prepared by room temperatureanodic oxidation
机译:
通过室温阳极氧化制备的优质超薄氧化物
作者:
Liu J.S.
;
Chiang M.C.
;
Chen C.L.
;
Huang T.Y.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
2.
Impact of intermetal dielectric process on Al via electromigrationreliability
机译:
金属间介电过程对电迁移/可靠性的影响
作者:
Liu X.
;
Lo K.F.
;
Chin K.Y.
;
Guo Q.
;
Teh G.L.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
3.
Illumination-sensitive failure mechanism-a case study on transientI
cc
failure
机译:
照明敏感故障机理-以瞬态 nI
cc sub>故障为例
作者:
Teh Swee Thian
;
Teoh Wan Yen
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
4.
Author's Index
机译:
作者索引
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
5.
Failure analysis of μBGA-new approaches in fault isolation
机译:
μBGA的故障分析-故障隔离的新方法
作者:
Kuan Siew Hor
;
Teh Swee Thian
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
6.
Channel-width effect on hot-carrier degradation in nMOSFETs withrecessed-LOCOS isolation structures
机译:
带有LOCOS隔离结构的nMOSFET的沟道宽度对热载流子退化的影响
作者:
Yue J.M.P.
;
Chim W.K.
;
Cho B.J.
;
Chan D.S.H.
;
Qin W.H.
;
Kim Y.B.
;
Jang S.A.
;
Yeo I.S.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
7.
Origin of the substrate current after soft-breakdown in thin oxiden-MOSFETs
机译:
薄氧化物 nn-MOSFET中的软击穿后衬底电流的来源
作者:
Crupi F.
;
Iannaccone G.
;
Neri B.
;
Crupi I.
;
Degraeve R.
;
Groeseneken G.
;
Maes H.E.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
8.
The effect of nitrogen pre-annealing on the sidewall oxidation ofWSi
x
and on the related electrical properties of WSi
x
/poly Si gate structure
机译:
氮气预退火对 nWSi
x sub>侧壁氧化和WSi
x n sub> /多晶硅栅结构相关电性能的影响
作者:
Dae-Hwan Kang
;
Hyeon-Soo Kim
;
Myung-Jun Chung
;
Kwang-Ho Ahn
;
Sang-Tae Chung
;
Kyoung-Wook Park
;
Gyu-Seog Cho
;
Jae-Beom Park
;
Yo-Hwan Koh
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
9.
A comparative study of charge trapping effects in LDDsurface-channel and buried-channel pMOS transistors using chargeprofiling and threshold voltage shift measurements
机译:
使用电荷 n轮廓分析和阈值电压偏移测量比较LDD n表面沟道和掩埋沟道pMOS晶体管中的电荷陷阱效应
作者:
Kok C.K.
;
Chew W.C.
;
Chim W.K.
;
Chan D.S.H.
;
Leang S.E.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
10.
Energy dependence of interface trap density-investigated by theDCIV method MOSFETs
机译:
通过 nDCIV方法研究的界面陷阱密度的能量依赖性MOSFETs
作者:
Jie B.B.
;
Li M.F.
;
Lo K.F.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
11.
Monte Carlo simulation of electromigration in polycrystalline metalstripes
机译:
多晶金属 nstripes中电迁移的蒙特卡洛模拟
作者:
Di Pascoli S.
;
Iannaccone G.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
12.
Latent damage investigation on lateral non-uniform chargegeneration and stress-induced leakage current in silicon dioxidessubjected to low-level electrostatic discharge impulse stressing
机译:
低水平静电放电脉冲应力作用下二氧化硅中横向不均匀产生和应力诱导的漏电流的潜在损伤研究
作者:
Lim P.S.
;
Chim W.K.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
13.
A latch-up immunized lateral trench-gate conductivity modulatedpower transistor
机译:
闩锁免疫横向沟槽栅电导率调制 n功率晶体管
作者:
Jun Cai
;
Keng Foo Lo
;
Sin J.K.O.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
14.
Physical analysis and modeling of the reliability of AlGaAs-GaAsHBTs
机译:
AlGaAs-GaAs nHBTs可靠性的物理分析和建模
作者:
Liou J.J.
;
Rezazadeh A.A.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
15.
Low-voltage forward gated diode: an early monitor of hot-carrierdegradations in scaled MOSFETs
机译:
低压正向门控二极管:早期监测规模化MOSFET中热载流子退化的方法
作者:
Ming-Jer Chen
;
Ting-Kuo Kang
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
16.
Automatic DRAM cell location in the SEM
机译:
在SEM中自动定位DRAM单元
作者:
Thong J.T.L.
;
Zhu Y.
;
Phang J.C.H.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
17.
Impact of failure criteria on electromigration of W-plug contact
机译:
失效标准对W插头触点电迁移的影响
作者:
Guo Qiang
;
Lo Keng Foo
;
Zeng Xu
;
Liu Xu
;
Yao Pei
;
Tan Pee Ya
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
18.
An empirical breakdown model of the gate oxide under current stress
机译:
电流应力下栅氧化层的经验击穿模型
作者:
Jin-Ho Seo
;
Woo J.C.S.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
19.
Can failure analysis keep pace with IC technology development?
机译:
故障分析可以跟上IC技术发展的步伐吗?
作者:
Boit C.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
20.
Radiation-induced leakage current of ultra-thin gate oxide underX-ray lithography conditions
机译:
nX射线光刻条件下超薄栅氧化物的辐射诱导泄漏电流
作者:
Byung Jin Cho
;
Sun Jung Kim
;
Ling C.H.
;
Moon Sig Joo
;
In Seok Yeo
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
21.
Impact of test structure design on electromigration of metalinterconnect
机译:
测试结构设计对金属互连互连电迁移的影响
作者:
Guo Qiang
;
Lo Keng Foo
;
Zeng Xu
;
Yao Pei
;
Neo Soh Ping
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
22.
A new DC voltage-voltage method to measure the interface traps indeep sub-micron MOS transistors
机译:
一种新的直流电压-电压方法,用于测量 neep亚微米MOS晶体管中的界面陷阱
作者:
Jie B.B.
;
Li M.F.
;
Chim W.K.
;
Chan D.S.H.
;
Lo K.F.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
23.
Impact of voids in Ti-salicided p
+
polysilicon lines onTiSi
2
electrical properties
机译:
钛硅化的p
+ sup>多晶硅线中空隙对 nTiSi
2 sub>电学性能的影响
作者:
Chua H.N.
;
Pey K.L.
;
Siah S.Y.
;
Ong L.Y.
;
Lim E.H.
;
Gan C.L.
;
See K.H.
;
Ho C.S.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
24.
Detection of underfill epoxy defects in flip chip packages with theaid of SAM, parallel polishing and FIB
机译:
借助SAM,平行抛光和FIB检测倒装芯片封装中的底部填充环氧树脂缺陷
作者:
Tang T.N.
;
Heng H.C.
;
Chan S.Y.
;
Hiew M.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
25.
New FIB-supported approaches for EELS-capable TEM-lamellapreparation
机译:
FIB支持的新方法用于支持EELS的TEM薄片 n制备
作者:
Jacob P.
;
Schertel A.
;
Peto L.
;
Sundaram G.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
26.
A detailed analysis of the pre-breakdown current fluctuations inthin oxide MOS capacitors
机译:
氧化MOS电容器中击穿前电流波动的详细分析
作者:
Neri B.
;
Crupi F.
;
Basso G.
;
Lombardo S.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
27.
A novel dual-direction IC ESD protection device
机译:
新型双向IC ESD保护器件
作者:
Wang A.Z.
;
Tsay C.H.
;
Shan Q.W.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
28.
An analytical model of positive HBM ESD current distribution andthe modified multi-finger protection structure
机译:
HBM ESD正电流分布的解析模型和改进的多指保护结构
作者:
Jian-Hsing Lee
;
Jiaw-Ren Shih
;
Yi-Hsun Wu
;
Boon-Khim Liew
;
Huey-Liang Hwang
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
29.
Study on LED degradation using CL, EBIC and a two-diode parameterextraction model
机译:
使用CL,EBIC和两二极管参数吸纳模型研究LED退化
作者:
Xiao H.
;
Liu Y.Y.
;
Phang J.C.H.
;
Chan D.S.H.
;
Chim W.K.
;
Yan K.P.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
30.
Temperature distribution in power GaAs field effect transistorsusing spatially resolved photoluminescence mapping
机译:
功率GaAs场效应晶体管中的温度分布使用空间分辨的光致发光映射
作者:
Landesman J.P.
;
Martin E.
;
Braun P.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
31.
Analysis of surface-state effects on gate-lag phenomena inrecessed-gate and buried-gate GaAs MESFETs
机译:
分析表面状态对栅极/嵌入式栅极GaAs MESFET中的栅极滞后现象的影响
作者:
Horio K.
;
Wakabayashi A.
;
Yamada T.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
32.
Proceedings of the 1999 7th International Symposium on the Physicaland Failure Analysis of Integrated Circuits (Cat. No.99TH8394)
机译:
1999年第七届集成电路物理 nand失效分析国际研讨会论文集(目录号99TH8394)
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
33.
Laser voltage probe (LVP): a novel optical probing technology forflip-chip packaged microprocessors
机译:
激光电压探针(LVP):用于 n倒装芯片封装微处理器的新型光学探测技术
作者:
Wai Mun Yee
;
Paniccia M.
;
Eiles T.
;
Rao V.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
34.
Influence of passivation anneal position on metal coveragedependent mismatch and hot carrier reliability
机译:
钝化退火位置对金属覆盖率 n独立失配和热载流子可靠性的影响
作者:
Chetlur S.
;
Sen S.
;
Harris E.
;
Vaidya H.
;
Kizilyalli I.
;
Gregor R.
;
Harding B.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
35.
A study of quasi-breakdown mechanism in ultra-thin gate oxide byusing DCIV technique
机译:
用DCIV技术研究超薄栅氧化物的准击穿机理
作者:
Hao Guan
;
Byung Jin Cho
;
Li M.F.
;
He Y.D.
;
Zhen Xu
;
Zhong Dong
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
36.
Series resistance and effective channel mobility degradation in LDDnMOSFETs under hot-carrier stressing
机译:
热载应力下LDD nnMOSFET的串联电阻和有效沟道迁移率下降
作者:
Oh G.G.
;
Chim W.K.
;
Chan D.S.H.
;
Lou C.L.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
37.
Characterization and application of highly sensitive infra-redemission microscopy for microprocessor backside failure analysis
机译:
用于微处理器背面故障分析的高灵敏度红外发射显微镜的表征和应用
作者:
Loh Ter Hoe
;
Yee Wai Mun
;
Chew Yin Yan
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
38.
An integrated (automated) photon emission microscope and MOSFETcharacterisation system for combined microscopic and macroscopic deviceanalysis
机译:
集成的(自动)光子发射显微镜和MOSFET n表征系统,用于组合微观和宏观设备分析
作者:
Ng T.H.
;
Chim W.K.
;
Chan D.S.H.
;
Phang J.C.H.
;
Liu Y.Y.
;
Lou C.L.
;
Leang S.E.
;
Tao J.M.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
39.
Novel backside sample preparation processes for advanced CMOSintegrated circuits failure analysis
机译:
用于高级CMOS 集成电路故障分析的新型背面样品制备过程
作者:
Chew Y.Y.
;
Siek K.H.
;
Yee W.M.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
40.
Identification of processing defects by focused ion beam (FIB)induced voltage contrast
机译:
通过聚焦离子束(FIB) n感应电压对比识别加工缺陷
作者:
Chun-Sheng Liu
;
Chih-Rong Chen
;
Yong-Fen Hsieh
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
41.
Long term noise measurements to characterize electromigration inmetal lines of ICs
机译:
长期噪声测量以表征IC n金属线中的电迁移
作者:
Ciofi C.
;
Dattilo V.
;
Neri B.
;
Foley S.
;
Mathewson A.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
42.
Impact of new materials, changes in physics and continued ULSIscaling on failure mechanisms and analysis
机译:
新材料的影响,物理变化以及持续的ULSI n扩展对失效机理和分析的影响
作者:
Nishi Y.
;
McPherson J.W.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
43.
A comparison of interface trap generation by Fowler-Nordheimelectron injection and hot-hole injection using the DCIV method
机译:
使用DCIV方法通过Fowler-Nordheim n电子注入和热空穴注入生成界面陷阱的比较
作者:
Ng K.H.
;
Jie B.B.
;
He Y.D.
;
Chim W.K.
;
Li M.F.
;
Lo K.F.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
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2007年
44.
The electric field, oxide thickness, time and fluence dependencesof trap generation in silicon oxides and their support of the E-model ofoxide breakdown
机译:
氧化硅中陷阱产生的电场,氧化物厚度,时间和注量依赖性及其对氧化物击穿E模型的支持
作者:
Qian D.
;
Dumin D.J.
会议名称:
《Requirements Engineering (RE 2007)》
|
2007年
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