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【24h】

Silicon quadrant detector in CMOS technology

机译：CMOS技术的硅象限检测器

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An optoelectronic device that detect visible light is designed in silicon technology, peaking in 650 nm wavelength. The quadrant detector (QD) derive photocurrents by projecting a light spot on four photodiodes placed close to each other on a silicon common substrate. The photodetector is square shaped with 2.25 mm~2 per active area by each quadrant and the size of the device is 9 mm~2. This work describes a technology to develop position sensitive detectors of four quadrant optimizing geometry to increase sensitivity. We propose to integrate sensor into complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology in order to improve photodetector out signal, reducing noise generated when photodetector is so far from data acquisition system.
机译：采用硅技术设计了一种检测可见光的光电器件，其峰值波长为650 nm。象限检测器（QD）通过将光斑投射到在硅公共基板上彼此相邻放置的四个光电二极管上来获得光电流。光电探测器为正方形，每个象限的每个有效面积为2.25 mm〜2，装置的尺寸为9 mm〜2。这项工作描述了一种技术，该技术可以开发具有四个象限的最佳几何形状的位置敏感检测器，以提高灵敏度。我们建议将传感器集成到互补金属氧化物半导体（CMOS）技术中，以改善光电探测器的输出信号，减少光电探测器远离数据采集系统时产生的噪声。

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