Analytische Untersuchungen am TiNiAg-Mehrschichtkontaktsystem auf c-Si

机译：c-Si上TiNiAg多层接触系统的分析研究

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Die Bildung homogen flacher Kontakte mit scharfer Metall/Halbleiter-Grenzfläche ist in der Halbleitertechnologie von großer Bedeutung für die Kontaktierung von Homo- oder Hetero-junctions geringer Ausdehnung. Aufgrund ihrer chemischen Stabilität und ihrer günstigen elektrischen Eigenschaften werden Silicide als Kontaktschicht in Bauelementen auf Si-Basis bevorzugt Die Reaktionskinetik und die Morphologie der Silicidschichten ist stark abhängig von den Herstellungsparametern. Einige wenige Silicide (NiSi_2, CoSi_2, ReSi_2, PtSi und PdSi) zeigen epitaktisches Wachstum, wenn die Präparation mittels MBE-Verfahren erfolgt. Die konventionelle Silicidbildung durch "solid phase reaction" (SPR) bei erhöhter Temperatur ist durch eine grobe Kornstruktur der zuerst entstehenden metallreichen Silicide gekennzeichnet.

机译：具有尖锐的金属/半导体界面的均匀平坦的接触的形成在半导体技术中对于小尺寸的同质或异质结的接触非常重要。由于它们的化学稳定性和良好的电性能，在基于Si的组件中优选使用硅化物作为接触层。硅化物层的反应动力学和形态在很大程度上取决于生产参数。当使用MBE方法进行制备时，一些硅化物（NiSi_2，CoSi_2，ReSi_2，PtSi和PdSi）显示出外延生长。在高温下通过“固相反应”（SPR）形成的常规硅化物的特征在于，首先形成的富金属硅化物的晶粒结构较粗。

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来源
《Solar Energy Research at the Hahn-Meitner-Institute : Abstract》|1995年|9-10|共2页
会议地点 Stutenhaus(DE)
作者
F.Fenske; A.Schöpke; B.Selle; S.Schulze; W.Wolke;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 ger
中图分类太阳能技术;
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