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首页> 外文会议>Symposium on Amorphous and Heterogeneous Silicon-Based Films―2002, Apr 2-5, 2002, San Francisco, California >A NEW SELF-ALIGNED POLY-SI TFT EMPLOYING A PRE-PATTERNED AL MASK LAYER BY BACKSIDE EXPOSURE TECHNIQUE
【24h】

A NEW SELF-ALIGNED POLY-SI TFT EMPLOYING A PRE-PATTERNED AL MASK LAYER BY BACKSIDE EXPOSURE TECHNIQUE

机译：通过背面曝光技术，采用预涂图案层的新型自对准Poly-SI TFT

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A new self-aligned poly-Si TFT has been fabricated by employing a photoresist backside exposure technique. A pre-patterned aluminum (Al) layer on a-Si film not only induces the lateral grain growth (～1.6 μm) in excimer laser crystallization but also implements the self-alignment of the gate region with the lateral grain region. Photoresist backside exposure through poly-Si film has been successfully performed because crystallized poly-Si has a fairly high U V transmittance. A self-aligned poly-Si TFT with a single grain boundary within the 2 μm channel was successfully fabricated and high on/off current ratio (～10~7) was obtained.
机译：通过使用光刻胶背面曝光技术已经制造了一种新的自对准多晶硅TFT。 a-Si膜上的预图案化铝（Al）层不仅在准分子激光晶化过程中引起横向晶粒生长（〜1.6μm），而且实现了栅极区域与横向晶粒区域的自对准。由于结晶的多晶硅具有相当高的U V透射率，因此已经成功地通过多晶硅膜进行了光刻胶背面曝光。成功地制造了在2μm沟道内具有单个晶界的自对准多晶硅TFT，并获得了高的开/关电流比（〜10〜7）。

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