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首页> 外文会议>Symposium on Flat-Panel Displays and Sensors-Principles, Materials and Processes held April 4-9, 1999, San Francisco, California, U.S.A. >Melting and resolidificationdynamics of a-Si and poly-Si thin films during excimer laser annealing
【24h】

Melting and resolidificationdynamics of a-Si and poly-Si thin films during excimer laser annealing

机译：受激准分子激光退火过程中a-Si和多晶硅薄膜的熔化和凝固动力学

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The liquid-solid interface motion and the temperature history of thin Si film during excimer laser annealing are observed by in-situ exp[eriments combining teim-resolved (approx 1ns) elecrical conductance, optical reflectance/transmittance at visible and near-IR waveleneth, and thermal emissioon measurements. The existence of partial and complete melting regimes is elucidated. In the partial melting regime, the maximum te,mperature remains close to the melting point of a-Si, since the laser energy is consumed on the latent heat of phase-change. In the complete melting regime, substantial supercooling, followed by homogeneous nucleation is observed. These phase transformatins are consistent with the recrystallized poly-Si morphologies.
机译：准分子激光退火过程中的液固界面运动和硅薄膜的温度历史是通过原位实验结合teim分辨的（约1ns）电导率，可见光和近红外波长下的光学反射率/透射率来观察的，和热辐射测量。阐明了部分和完全熔化机制的存在。在部分熔化状态下，最大的te，mature保持接近a-Si的熔点，因为激光能量是在相变潜热上消耗的。在完全熔化的过程中，观察到充分的过冷，随后发生均相成核。这些相变质与重结晶的多晶硅形态一致。

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