VLS Growth of Si nanowhiskers on a H-terminated Si{111} surface

机译：H终止的Si {111}表面上的VLS生长Si纳米晶须

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We have grown Si nanowhiskers on a Si{111} surface via the vapor-liquid-solid (VLS) mechanism. The minimum diameter of the crystalline is 3nm and is close to the critical value for the effect of quantum confinement. We have found that many whiskers grow epitaxially or non-epitaxially on the substrate along the <112> direction as well as the <111> direction.

机译：我们已经通过汽液固（VLS）机制在Si {111}表面上生长了Si纳米晶须。晶体的最小直径为3nm，接近于量子限制效应的临界值。我们发现，许多晶须沿着衬底上的<112>方向和<111>方向外延或非外延生长。

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来源
《Symposium on Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors-1998 held November 30-December 3, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A.》|1998年|p.305-310|共6页
会议地点 Boston MA(US)
作者
N. Ozaki; Y. Ohno; S. Takeda; M. Hirata;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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