• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Symposium Proceedings vol.808; Symposium on Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology - 2004; 20040413-16; San Francisco,CA(US) >Intrinsic and Doped μc-Si:H TFT Layers using 13.56 MHz PECVD at 250℃
【24h】

Intrinsic and Doped μc-Si:H TFT Layers using 13.56 MHz PECVD at 250℃

机译：固有和掺杂μc-Si：H TFT层，在250℃下使用13.56 MHz PECVD

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Undoped and n~+ hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) films for thin film transistors (TFTs) were deposited at a temperature of 250℃ with 99 ～ 99.6 % hydrogen dilution of silane by standard 13.56 MHz plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). High crystallinity μc-Si:H films were achieved at 99.6 % hydrogen dilution and at low rf power. An undoped 80 nm thick μc-Si:H film showed a dark conductivity of the order of 10~(-7) S/cm, the photosensitivity of an order of 10~2, and a crystalline volume fraction of 80 %. However, a 60 nm thick n~+ μc-Si:H film deposited using a seed layer showed a high dark conductivity of 35 S/cm and a crystalline volume fraction of 60 %. Using n~+ μc-Si:H films as drain and source contact layers in a-Si:H TFTs provides substantial performance improvement over n~+ a-Si:H contacts. Finally, fully μc-Si:H TFTs incorporating intrinsic μc-Si:H films as channel layers and n~+ μc-Si:H films as contact layers have been fabricated and characterized. These TFTs exhibit a low threshold voltage and a field effect mobility of 0.85 cm~2/Vs, and are far more stable under gate bias stress than a-Si:H TFTs.
机译：用于薄膜晶体管（TFT）的未掺杂和n〜+氢化的微晶硅（μc-Si：H）膜通过标准13.56 MHz等离子体增强化学气相沉积法在250℃的温度下沉积99％〜99.6％的硅烷氢稀释（ PECVD）。在99.6％的氢气稀释和低rf功率下获得了高结晶度的μc-Si：H薄膜。未掺杂的80 nm厚μc-Si：H薄膜显示出10〜（-7）S / cm量级的暗电导率，10〜2量级的光敏度和80％的晶体体积分数。但是，使用籽晶层沉积的60 nm厚n〜+μc-Si：H薄膜显示出35 S / cm的高暗电导率和60％的晶体体积分数。在n- + a-Si：H TFT中，使用n〜+μc-Si：H膜作为a-Si：H TFT的漏极和源极接触层可显着提高性能。最后，已经制造并表征了完整的μc-Si：H TFT，其结合了固有的μc-Si：H膜作为沟道层和n〜+μc-Si：H膜作为接触层。这些TFT具有低阈值电压和0.85 cm〜2 / Vs的场效应迁移率，并且在栅极偏置应力下比a-Si：H TFT更稳定。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号