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首页> 外文会议>Symposium on Science and Technology of Magnetic Oxides December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A. >Volume-based considerations for the metal-insulator transition of CMR oxides
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Volume-based considerations for the metal-insulator transition of CMR oxides

机译：基于体积的CMR氧化物的金属-绝缘体转变注意事项

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The sensitivity of rho to changes in volume which occur through: (1) applied pressure, (2) variations in temperature, and (3) phase transitions, is evaluated for some selected CMR oxides. It pressures, are equivalent in magnitude to changes in volume resulting from pressures in the range of 0.18 to 0.45 GPa. Through consideration of thermal expansion and electrical resistivity data, it is shown that these self -ressures are responsible for large features in the electrical resistivity and are an important component for the occurrence of the metallicity below T_c. It is suggested that this is a manifestation of a strong volume dependence of the electron phonon coupling in the CMR oxides.
机译：对于某些选定的CMR氧化物，评估了rho对通过以下方式发生的体积变化的敏感性：（1）施加的压力，（2）温度的变化以及（3）相变。它的压力在大小上等效于压力在0.18至0.45 GPa范围内引起的体积变化。通过热膨胀和电阻率数据的考虑，表明这些自形貌是电阻率大特征的原因，并且是在T_c以下发生金属性的重要组成部分。建议这是CMR氧化物中电子声子耦合的强体积依赖性的体现。

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