基于子能带间跃迁的AlGaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测研究

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目录

1 绪论

1.1 红外探测技术及应用

1.2 量子阱红外探测器

1.3 AlGaN/GaN多量子阱ISBT红外探测器研究背景

1.4 研究进展

1.5 研究难点

1.6 主要研究内容

2 AlGaN/GaN多量子阱材料外延及测试表征技术

2.1 半导体材料外延介绍

2.2 AlGaN/GaN量子阱材料外延生长技术简介

2.3 材料测试表征设备

2.4 本章小结

3 AlGaN/GaN多量子阱ISBT红外探测结构设计

3.1 AlGaN材料基本特征

3.2 AlGaN/GaN量子阱计算模型及计算方法

3.3 AlGaN/GaN多量子阱ISBT红外跃迁特性研究

3.4 本章小结

4 AlGaN/GaN量子阱模板材料的生长研究

4.1 AlN薄膜生长研究

4.2 n-AlGaN薄膜的MOCVD生长

4.3 本章小结

5 AlGaN/GaN多量子阱结构优化及ISBT红外跃迁研究

5.1 AlGaN/GaN量子阱材料生长参数的优化

5.2 极化对AlGaN/GaN多量子阱中ISBT红外跃迁影响研究

5.3 量子阱结构参数对ISBT红外跃迁影响研究

5.4 掺杂对AlGaN/GaN多量子阱中ISBT红外跃迁影响研究

5.5 本章小结

6 AlGaN/GaN多量子阱红外探测器制备及性能研究

6.1 AlGaN/GaN多量子阱红外探测器研究进展

6.2 量子阱红外探测器制备及测试

6.3 量子阱红外探测器光电特性研究

6.4 本章小结

7 总结与展望

7.1 本论文工作总结

7.2 工作展望

致谢

参考文献

附录1 攻读博士学位期间已发表或完成的论文

附录2 攻读博士学位期间申请的专利