聚光多结太阳能电池的设计、制备及可靠性研究

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目录

1 绪 论

1.1 光伏技术应对全球能源危机

1.2 光伏技术的发展概况及趋势

1.3 III-V族化合物半导体太阳能电池研究进展

1.4 本文内容概述

2 化合物半导体太阳能电池基本理论

2.1 半导体pn结的光生伏特效应

2.2 太阳能电池的特征参数

2.3 化合物半导体太阳能电池基本结构

2.4 化合物半导体多结太阳能电池工作原理

3 聚光多结太阳能电池的结构设计和优化

3.1 聚光多结太阳能电池的结构参数与理论模型

3.2 聚光多结太阳能电池各子电池的结构设计和优化

3.3 聚光多结太阳能电池整体结构的设计和优化

3.4 本章小结

4 聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池关键工艺技术研究

4.1 多结太阳能电池外延生长与器件表征技术简介

4.2 单结Ge底电池外延生长与表征

4.3 具有高隧穿电流密度隧穿结的外延生长与表征

4.4 单结InGaP顶电池的外延生长与表征

4.5 聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池的外延生长与表征

4.6 聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池电极图形的设计与优化

4.7 聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池减反膜研究

4.8 聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池性能表征

4.9 本章小结

5 聚光多结太阳能电池可靠性研究

5.1 聚光多结太阳能电池检验标准

5.2 聚光多结太阳能电池外延缺陷研究

5.3 聚光多结太阳能电池可靠性试验研究

5.4 本章小结

6 新型III-V族化合物半导体太阳能电池的探索性研究

6.1 应力补偿多量子阱GaAs太阳能电池的理论研究

6.2 无定形GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池的理论模拟

6.3 新型InGaN太阳能电池的理论研究和结构设计

6.4 本章小结

7 总结与展望

致谢

参考文献

附录1 攻读博士学位期间已发表或完成的论文

附录2 攻读博士学位期间已授权或公开的专利