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一种多结聚光砷化镓太阳能电池及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种多结聚光砷化镓太阳能电池及其制备方法，其电池是以P型碳化硅为衬底，自衬底表面起由下至上依次层叠排列着低温P-GaAs缓冲层、高温P-GaAs缓冲层、底电池、中电池、顶电池以及N++-GaAs接触层，所述的底电池与中电池以及中电池与顶电池之间分别设置有隧穿结连接结构。由于P型碳化硅衬底是宽带隙半导体材料，与锗衬底与砷化镓衬底相比具有高导热系数，因此该电池能够提高高倍聚光下的稳定性和长期可靠性。另外，该电池在碳化硅衬底与底电池之间采用P-GaAs缓冲层，从而能够有效解决碳化硅衬底与多结砷化镓电池晶格类型不同、晶格常数和热膨胀系数差别大带来的外延生长问题。

著录项

  • 公开/公告号CN103545389B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞德兴阳新能源技术有限公司;

    申请/专利号CN201310508769.X

  • 发明设计人 吴作贵;杨翠柏;王智勇;吴步宁;

    申请日2013-10-24

  • 分类号H01L31/0312(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人熊军

  • 地址 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之一

  • 入库时间 2022-08-23 09:37:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-19

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L31/0312 登记生效日:20170327 变更前: 变更后: 申请日:20131024

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-03-30

    授权

    授权

  • 2014-07-02

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/0312 变更前: 变更后: 申请日:20131024

    著录事项变更

  • 2014-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0312 申请日:20131024

    实质审查的生效

  • 2014-01-29

    公开

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