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非均匀极化量子点中的电子自旋动力学

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摘要

1 绪论

1.1量子计算简介

1.2半导体量子点系统用于实现量子计算

1.3量子点中核自旋导致的退相干过程

1.4金刚石色心系统实现量子计算

2 量子自旋系统中的退相干过程

2.1量子点中的退相干过程

2.2解析处理方法

2.2.1半经典处理

2.2.2准静态近似

2.3数值模拟方法

2.3.1切比雪夫多项式展开

2.3.2相干态P表象的方法

2.4在量子点退相干问题中的实际应用

2.5 半经典处理方法的应用实例:自旋扩散退相干

3 量子点中的动力学极化及极化非均匀性

3.1双量子点系统中的动力学核极化

3.2核自旋动力学极化所导致的极化非均匀性

4 非均匀极化量子点中的退相干各向异性

4.1量子点中的核极化

4.1.1热力学极化

4.1.2动力学极化

4.2量子点中电子自旋的退相干过程

4.3退相干过程的数值模拟

4.4非均匀核极化对电子自旋退相干过程的抑制

4.5退相干各向异性

4.5.1外加磁场的影响

4.5.2拟合得到退相干时间

4.5.3傅立叶分析

4.5.4退相干各向异性

4.5.5极化非均匀程度与退相干各向异性的关系

4.5.6一些简单的分析

4.6总结

5 非均匀极化量子点的具体应用:量子存储

5.1量子存储的一般过程

5.2量子点中量子存储过程的进一步分析

5.2.1量子点中量子存储过程的量子力学描述

5.2.2核自旋不完全极化而相互作用均匀分布的情形

5.2.3核自旋完全极化而相互作用不均匀的情形

5.3对于量子点中实际情形的量子存储过程的数值模拟

5.4核自旋的非均匀极化

5.5最小保真度

5.6 比较均匀极化与非均匀极化中最小保真度与平均极化率的关系

5.7从信息熵的角度分析非均匀极化的效果

5.8最优外加磁场

5.9总结

6 总结与展望

附录

参考文献

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致谢

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摘要

在本文中,我们重点论述了半导体量子点应用于实现量子计算时,由于与核自旋的超精细相互作用,作为量子比特的电子自旋会发生退相干现象。着重探讨了使用动力学方式极化量子点会导致核自旋极化的空间非均匀性。与此同时,非均匀极化的量子点在电子自旋的退相干过程中会表现出若干新奇的性质。 首先,我们介绍了量子计算的相关知识,重点介绍了量子计算机的一般工作原理,物理实现体系,潜在应用以及现阶段所面临的主要问题等。接着,我们使用半导体量子点这一具体的量子计算物理实现体系,分析了量子态的制备与测量,量子逻辑门操作等实现量子计算的主要过程。然而,由于超精细相互作用的影响,量子点中量子态的保持以及量子逻辑门的操作精度都会受到影响。我们重点分析了双量子点中自旋单态(纠缠态)发生退相干的现象,以及使用自旋回波技术抑制退相干的基本过程。作为比较,我们还简单介绍了使用金刚石色心系统实现量子计算的基本过程。 量子系统中相干性的保持是实现量子计算的关键因素,量子系统的退相干时间决定了量子态存储的保真度以及量子逻辑门操作的精度。因此,接下来我们重点分析了在量子点体系中,由于超精细相互作用所导致的电子自旋发生退相干的一般过程。为了研究这一动力学过程,我们首先使用了半经典的处理方法,即将电子自旋与核自旋之间的超精细相互作用等效为电子自旋与核自旋等效磁场(Overhauser场)之间的相互作用,这一等效磁场的大小和方向是随机的,满足高斯分布。同时我们证明了,半经典处理与准静态近似(即假设电子自旋与核自旋之间的超精细耦合强度相等)实际上是等价的。然而半经典处理并不能完整地描述量子点中电子自旋的退相干行为,尤其是当演化时间较长,核自旋内部的动力学不可忽略时。而且,当外加磁场或核自旋极化较小时,微扰论也不再适用。因此,我们需要借助于数值模拟来完整地分析量子点中电子自旋的退相干过程。我们介绍了两种求解自旋体系动力学的数值方法,即切比雪夫多项式展开时间演化算符的方法与自旋相干态P表象的方法。我们使用这两种数值方法模拟了中心自旋体系(量子点退相干问题的物理模型)的退相干过程,并与准静态近似的解析结果进行了比较,得出了半经典处理的适用范围,并且进一步分析了极化核自旋与施加外磁场对退相干过程的影响。 利用超精细相互作用中的自旋交换项(flip-flop项),可以实现量子点中电子自旋与核自旋之间的自旋交换。通过向量子点中连续注入极化的电子自旋可以实现核自旋的极化,这一极化方式称为动力学核极化。我们使用独立自旋近似解析分析了核自旋动力学极化的一般过程,发现当极化脉冲足够短时,核自旋的极化率依赖于超精细相互作用耦合强度,极化率与耦合强度的平方成正比。随后,我们使用数值模拟分析了核自旋动力学极化过程,也得出了动力学极化会导致极化非均匀性这一结论。 我们使用动力学极化后的核自旋态作为初态,研究电子自旋在非均匀极化的量子点中的退相干行为。计算结果表明,当核自旋平均极化率相同时,相比于均匀极化的情形,在非均匀极化的量子点中,电子自旋的纵向退相干时间得到了明显的延长。并且在数值模拟中我们还发现,退相干时间延长的倍数与极化率接近1的核自旋的数目近似相等,这一现象可以使用core-skirt模型进行解释。 与此同时,我们还计算了在两种不同极化方式(均匀与非均匀)下,电子自旋横向分量的退相干过程。结果表明,在核自旋非均匀极化的情形中,电子自旋的退相干过程出现了各向异性。即电子自旋的纵向退相干时间与横向退相干时间的比值,在非均匀极化的情形中明显地依赖于平均极化率的变化,而在均匀极化的情形中则不依赖于平均极化率的变化。我们进一步定量分析了极化非均匀程度与退相干各向异性之间的关系。这一退相干各向异性现象可以用于分析量子点中核自旋极化的空间非均匀程度,有助于进一步研究量子点中的自旋动力学以及设计抑制自旋退相干的实验方案等。 最后,我们研究了将非均匀极化的量子点用于实现量子存储。我们简单介绍了利用量子点中电子自旋与核自旋之间的超精细相互作用实现量子态存储的一般过程,并定义了最小保真度用于衡量量子存储的效果。通过数值模拟,我们比较了量子点均匀极化与非均匀极化时,量子存储最小保真度与核自旋平均极化率的关系。结果表明,当最小保真度一定时,使用非均匀极化的方式所需的核自旋平均极化率明显更低。而且,当超精细耦合强度的分布变窄时,这一效应更加明显。我们通过分析量子态写入核自旋的过程中冯诺伊曼信息熵的变化,发现与电子自旋耦合越强的核自旋在量子存储的过程中所发挥的作用也越大。根据我们的数值模拟结果,使用核自旋非均匀极化的方式,在现有的实验水平下,应用量子点实现量子态存储是可行的。

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