150V VDMOS器件用外延层结构设计

声明

摘要

第一章 绪论

1．1 引言

1．2 国内外研究现状

1．2．1 VDMOS功率器件及其材料的发展分析

1．2．2 VDMOS功率器件的市场形势

1．2．3 VDMOS功率器件用硅外延材料的市场形势

1．3 论文的研究内容及目标

1．4 论文的组织结构

第二章 VDMOS器件的结构与原理

2．2 VDMOS的工作原理

2．3 VDMOS器件的主要参数

2．3．1 阂值电压

2．3．2 漏源电流

2．3．3 漏源击穿电压

2．3．4 导通电阻

2．4 VDMOS器件用硅外延层参数的理论计算

2．5 VDMOS器件用硅外延材料的结构分析

2．6 本章小结

第三章 VDMOS器件用硅外延层的仿真与分析

3．1 计算机仿真工具简介

3．2 外延层电阻率及其均匀性对器件性能的影响分析

3．3 外延层厚度及其均匀性对器件性能的影响分析

3．4 外延层过渡区对器件性能的影响分析

3．4．1 外延层过渡区的影响因素分析

3．4．2 外延层过渡区对器件性能的影响

3．5 外延层衬底材料对器件性能的影响分析

3．6 本章小结

第四章 150V VDMOS器件用外延材料的设计与验证

4．1．1 外延层电阻率设计

4．1．2 外延层厚度设计

4．1．3 外延层过渡区设计

4．1．4 外延衬底设计

4．1．5 外延材料结构的仿真结果

4．2 150V VDMOS器件用外延层的工艺实现与质量控制

4．2．1 150V VDMOS器件用外延层的工艺实现

4．2．2 150V VDMOS器件用外延层的质量控制

4．3 器件仿真结果

4．3．1 击穿电压

4．3．2 阈值电压

4．3．3 导通电阻

4．3．4 结果验证

4．4 本章小结

第五章 总结

5．1 总结

参考文献

致谢