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崔进;
苏州大学;
多孔薄膜; 等离子体; 槽形刻蚀; 双频电容耦合放电; 介电常数;
机译:60 MHz / 2 MHz双频放电的C2F6 / O2 / Ar等离子体化学性质及其对SiCOH低k膜刻蚀的影响%60MHz / 2 MHz双频放电的C2F6 / O2 / Ar等离子体化学性质及其对SiCOH低k膜的蚀刻
机译:气体流量对双频CF_4 / C_4F_8 / Ar电容耦合等离子体中带有非晶碳掩模的低k sicoh膜蚀刻特性的影响
机译:60 MHz / 2 MHz双频放电的C_2F_6 / O_2 / Ar等离子体化学性质及其对SiCOH低k膜蚀刻的影响
机译:Cl_2 / C_2F_6 / Ar和HBr / Ar等离子体中Pb(Zr_xTi_(1-x)O_3薄膜的感应耦合等离子体刻蚀
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机译:SiCOH低k薄膜的气相沉积方法
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