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CHF_3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析

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摘要

通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度以及传递到SiCOH薄膜表面的能量是决定SiCOH薄膜刻蚀的主要因素,符合Sankaran的碳氟等离子体刻蚀SiO2薄膜模型.在等离子体空间的CF2基团浓度较低、F基团浓度较高时,并且施加给待刻蚀薄膜的偏置功率较高时,SiCOH薄膜表面沉积的C:F薄膜层较薄,有利于等离子体空间的F基团和离子轰击薄膜的能量传递到SiCOH薄膜表面,从而使SiCOH薄膜表面的F、Si反应几率增大,实现SiCOH薄膜的有效刻蚀.

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来源
《苏州大学学报：自然科学版》 |2011年第1期|48-51|共5页
作者
崔进; 刘卉敏; 邓艳红; 叶超;
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作者单位

江苏省薄膜材料重点实验室苏州大学物理科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
SiCOH薄膜刻蚀; CHF3等离子体; 双频电容耦合放电;

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