晶硅异质结太阳电池非晶硅薄膜与背场工艺优化研究

封面

声明

中文摘要

英文摘要

目录

第1章 绪论

1.1 引言

1.2 晶硅异质结电池简介

1.3 非晶硅薄膜制备技术简介

1.4 晶硅异质结太阳电池的国内外研究现状

1.5 本文主要内容

第2章 HWCVD法制备本征氢化非晶硅钝化膜研究

2.1 氢化非晶硅钝化原理及研究现状

2.2 实验方法

2.3 本征氢化非晶硅钝化晶硅表面研究

2.4 射频光电导法与微波光电导法硅片少子寿命比较

2.5 本章小结

第3章 HWCVD异质结太阳电池的薄膜与背场工艺优化研究

3.1 引言

3.2 实验方法

3.3 单层发射极异质结电池制备

3.4 双层发射极异质结电池发射极厚度的优化

3.5 单层发射极与双层发射极电池性能对比

3.6 本章小结

第4章 PECVD异质结太阳电池的薄膜工艺优化

4.1 引言

4.2 实验方法

4.3 本征钝化层优化

4.4 不同结构晶硅异质结对比分析

4.5 本章小结

第5章 总结

5.1 主要的研究结论

5.2 本文创新之处

致谢

参考文献

攻读学位期间的研究成果