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1绪论
1.1概述
1.2 GaN基材料的研究动态
1.3 GaN基材料的特性
1.3.1 GaN晶体结构的特性和物理性质
1.3.2化学性质
1.3.3 GaN的光学特性
1.3.4 GaN的电学特性
1.4 GaN基材料的器件应用
1.4.1蓝光发光器件
1.4.2高频高功率电子器件
1.4.3紫外探测器
1.4.4高温电子器件
1.5 GaN的发展前景
1.6论文选题依据及意义
1.7论文主要工作
2薄膜生长理论
2.1薄膜的成核原理
2.2外延单晶薄膜生长类型
2.2.1岛状生长模式
2.2.2层状生长模式
2.2.3混合生长模式
2.3小结
3实验设备和材料分析技术
3.1实验设备及原理
3.1.1低压等离子体辅助化学气相沉积原理
3.1.2 ESPD-U中低温等离子体的产生及特点
3.1.3 ESPD-U-PAMOCVD的总体结构及其特征
3.2红外测温系统的工作原理
3.3材料的分析手段
3.3.1高能电子衍射仪
3.3.2 X射线衍射
3.3.3原子力显微镜(AFM)
3.4小结
4实验结果及讨论
4.1衬底、镓源和氮源的选择
4.1.1衬底材料的选择
4.1.2镓源的选择
4.1.3氮源的选择
4.2清洗实验
4.2.1衬底的化学清洗
4.2.2等离子清洗的工艺
4.2.3小结
4.3氮化实验
4.3.1氮化的温度和时间对氮化效果的影响
4.3.2氮化的作用和氮化的程度对缓冲层生长的影响
4.3.3微波功率对氮化结果的影响
4.3.4小结
4.4低温缓冲层的生长实验
4.4.1温度对缓冲层的影响
4.4.2 V/Ⅲ比对缓冲层的影响
4.4.3小结
4.5 GaN外延层的生长工艺
4.5.1温度对外延层生长的影响
4.5.2小结
4.6实验结果的讨论
5实时监控系统的软件部分的实现及改进
5.1系统分析
5.1.1 GaN生长工艺特点
5.1.2系统需要实现的功能
5.2系统硬件部分的设计
5.3通信协议设计
5.4系统程序设计
5.4.1系统的组成
5.4.2热电偶不能反映真实的生长温度问题的解决
6总结与展望
参考文献
攻读硕士期间发表的论文
致谢
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