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一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法

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一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在生长锑化物半导体前，以其他物理沉积(如磁控溅射)薄膜制备技术预先在硅衬底上沉积铝(或AlSb)薄层。再将样品加载在MOCVD系统中外延生长。生长开始前只通入Sb有机源，然后在位退火，使铝(或AlSb)薄层锑化，形成稳定的AlSb缓冲层结构。当锑化物生长开始时，已经存在的AlSb缓冲层结构将提升锑化物半导体层覆盖度。整个生长过程没有在MOCVD系统中引入有机铝源，避免了设备的铝污染。该方法不仅可以提升锑化物在大晶格失配衬底上的表面覆盖度，而且可以避免铝源在设备中的记忆效应。

著录项

公开/公告号CN104593772B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-10-19

原文格式PDF
申请/专利权人吉林大学;
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申请/专利号CN201410843205.6
发明设计人张宝林;王连锴;吕游;刘仁俊;
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申请日2014-12-30
分类号C23C28/00(20060101);C23C14/34(20060101);C23C16/18(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构22201 长春吉大专利代理有限责任公司;
代理人张景林;王恩远
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号
入库时间 2022-08-23 09:48:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-06

专利权的转移 IPC(主分类):C23C 28/00 登记生效日:20180212 变更前: 变更后: 申请日:20141230

专利申请权、专利权的转移
2016-10-19

授权

授权
2016-10-19

授权

授权
2015-05-27

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 28/00 申请日:20141230

实质审查的生效
2015-05-27

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 28/00 申请日:20141230

实质审查的生效
2015-05-06

公开

公开
2015-05-06

公开

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