摘要
引言
第一章 浸没式光刻工艺介绍
1．1 传统光刻工艺流程介绍
1．2 光刻工艺的发展
1．2．1 光刻机的发展历程
1．2．2 光刻工艺流程的发展
1．3 浸没式光刻工艺及其优势
1．3．1 浸没式光刻工艺原理
1．3．2 浸没式光刻的优势
第二章 浸没式光刻主要的缺陷及成因
2．1 气泡缺陷
2．1．1 气泡缺陷的光学原理
2．1．2 在光刻胶层上发现的气泡缺陷
2．1．3 气泡的源头
2．2 反气泡状缺陷
2．2．1 缺陷介绍
2．2．2 反气泡缺陷的形成机理
2．2．3 光刻胶或顶部涂层颗粒物、光刻胶凸起的成因
2．2．4 起泡的现象及原理
2．3 微小桥接缺陷
2．3．1 微小桥接缺陷介绍
2．3．2 缺陷的形成机理
2．4 水渍残留缺陷
2．4．1 水渍残留缺陷介绍
2．4．2 水渍残留缺陷形成机理
2．4．3 扫描式电子显微镜下水渍残留缺陷图像
2．4．4 其他水渍残留缺陷的证据
2．5 本章小结
第三章 浸没式光刻主要的缺陷的对策
3．1 减少气泡缺陷的方法
3．2 减少水渍残留缺陷的方法
3．2．1 防水表面特性有助于减少水渍残留
3．2．2 优化扫描曝光路径与扫描速度
3．2．3 去离子水冲洗
3．2．4 其他冲洗制程
3．3 减少微型桥接的方法
3．3．1 浸没液体中的颗粒物缺陷
3．3．2 来自硅片工作台(wafer stage)的颗粒物
3．3．3 硅片边缘区域引入的颗粒物
3．4 减少低厚度光刻胶薄膜或项部涂层薄膜中的微小空洞
第四章 浸没式光刻缺陷对应策略在实际生产中的运用
4．1 光刻机的定期检测及维护
4．1．1 光刻机缺陷状况定期检测
4．2 针对实际工艺制程中存在的缺陷采取有针对性的措施
4．2．1 45nm工艺初期浸没式缺陷状况
4．2．2 大气泡缺陷及采取的措施
4．2．3 可印刷颗粒缺陷及采取的措施
第五章 在实际生产中的运用对策后的效果
5．1 气泡缺陷的改善效果
5．2 可印刷颗粒缺陷的改善效果
5．3 边缘颗粒物的改善效果
第六章 总结
6．1 总结
6．2 后续工作安排
参考文献
致谢
声明
